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CeO2掺杂Bi压电陶瓷的电性能与微观结构-华南师范大学学报
华南师范大学学报 (自然科学版)
2009年 5月 JOURNAL OF SOUTH CH INA NORMAL UN VI ERSITY 2009年第 2期
M ay 2009 (NATURAL SCIENCE EDIT ION ) No. 2, 2009
: 1000 5463( 2009) 02 0057 05
CeO ( Bi Na ) Ba T iO
2 0. 5 0. 5 0. 94 0. 06 3
1, 2 1*
师金华 , 杨万民
( 1. , 710062; 2. , 750021)
: 采用传统陶瓷工艺制备了 CeO 掺杂( 0~ 10% ) ( B i Na ) Ba T iO (缩写为 BNBT6) 无铅压电陶瓷. 研
2 0. 5 0. 5 0. 94 0. 06 3
究了 CeO 掺杂量( 0~ 10% ) (质量分 , 下同)对 BNBT6陶瓷的密度相结构微观结构及介电与压电性能的影响.
2
XRD表明, CeO 掺杂量在 0~ 10% 之间变化, 没有改变 BNBT6陶瓷纯的钙钛矿结构. SEM 表明, 少量的 CeO 掺杂,
2 2
改变了陶瓷的微观结构. 介电温谱表明, 随着 CeO 掺杂量的增加, 铁电相向反铁电相转变温度 ( T ) 降低. 室温下,
2 d
3
CeO 掺杂量为 04% 时, BNBT6陶瓷样品有很好的性能: 密度为 5836 g/ cm , 压电常 为 136 pC /N, 平面机电藕合
2
系 为 0303, 相对介电常 为 891, 介电损耗为 00185.
: 钛酸铋钠; 压电性能; 介电性能; 微观结构
: TM 282 : A
( PZT ) (d = 125 pC /N)( =
33 r
, 580). ,
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