低频跨导gm.PPT

3、各种放大器件电路性能比较 表4.5.1 表5.2.1 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： 画中频小信号等效电路 例题 1、放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 则电压增益为 由于 则 根据电路有 2、设 gm=3mA/V，?=50，rbe = 1.7k 前级:场效应管共源极放大器 后级:晶体管共射极放大器 求：总电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 +VCC RS 3M (+24V) R1 20k 10k C2 C3 R4 R3 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC T1 RE1 CE2 T2 CE1 RD 10k R2 1M 例题 （1）估算各级静态工作点: （略） （2）动态分析: 微变等效电路 首先计算第二级的输入电阻： Ri2= R3// R4// rbe=82//43//1.7=1.7 k? R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s + _ + + + _ _ _ 第二步：计算电压放大倍数 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s + _ + + + _ _ _ Av=Av1Av2 =(-4.4) ?(-147) =647 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s + _ + + + _ _ _ 第二步：计算电压放大倍数 第三步：计算输入电阻、输出电阻 Ri=R1//R2=3//1=0.75M ? Ro=RC=10k ? R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s + _ + + + _ _ _ end （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 }联立求解 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） （3）电流源偏置共源极放大电路 VDS ＝ VDD －IDRd－ VS 需要验证是否满足 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 3. 小信号模型分析 （1）模型（工作在饱和区） 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当vgs 2(VGSQ- VT )时(必须满足的小信号条件） ??0时 高频小信号模型 式中gm=2Kn(VGS－VT) 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5 共源电路） 例5.2.6（共漏电路，源极输出器） 交流参数归纳如下 ①电压放大倍数 ②输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 或 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共源极电路（对应共射电路） ③输出电阻 共漏极电路（对应共集电路） ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共栅极电路（对应共基电路） ①电压放大倍数 . ②输入电阻 ③输出电阻 Ro≈Rd *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个高掺杂P+区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 栅结正偏时栅极电流的方向（从P到N） 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 根据结型场效应三极管的结构，要实现控制作用，只能工作在反偏的条件下。对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。否则将会出现栅流。 ① vGS对沟道的控制作用（VDS不变） 当VGS＜0时 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? 沟道电阻增加，iD减小。 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成N沟道多子（电子）由源极向漏极的运动，产生漏极电流iD。 VGS继续减小， iD继续减小，沟道继续变窄 当VGS↓= VP（夹断电压），耗尽层在中间合拢，iD=0。此时所对