半导体三极管aNPN型晶体管.PPT

正向导通时：正向管压降为0，内阻为0，相当于短路 反向截止时：内阻很大,相当于开路 二极管理想模型: 正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 二极管近似模型 二极管管压降模型: 正向管压降不为0,外加正向电压需大于正向管压降才导通 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 二极管的应用分析举例 （一） 二级管工作状态(正向导通OR反向截止) （二）二极管电路的功能 整流、检波、限幅、元件保护、数字开关等等 1整流 求：UAB ？？ V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例1： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 二 钳位 在这里，二极管起钳位作用。 ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例3: 限幅 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V2阳=0 V ， V1阳 =-6 V D2 导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 例2: 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 14.4 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 14.5 双极性晶体管 14.5.1 基本结构 晶体管的结构 (a)平面型-硅管； (b)合金型--锗管 B E P型硅 N型硅 二氧化碳保护膜 铟球 N型锗 N型硅 C B E C P P 铟球 (a) (b) 14.5 半导体三极管 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB VCVBVE 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB VCVBVE EB RB EC RC 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 1. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 14. 5. 2 电流分配和放大原理 晶体管电流测量数据 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0