半导体的热电势.DOC

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半导体的热电势

热电势综述 概述 人们早就发现,在导体中热和电存在着一些微妙的关联,一般电的良导体同时也是热的良导体。根据经典的金属自由电子气理论,金属的热导率和电导率之间存在经验公式: (2-1) L称为Lorenz数[1],该公式在室温下与相当多的金属实验数据一致,更是将二者联系在了一起,说明是同一种载流子引起这两种现象。随着实验技术的发展,二者都成为研究材料性质的基本手段。 热电势的测量回路 除了这两种现象外,热和电还存在着一个更为复杂的效应,这就是温差电现象。实验上共发现了三种温差电现象。第一种是Seebeck效应,如图2-1(a)所示,将两种材料连结成一个闭合回路,在两个连结点处维持不同的温度,则在线路中除了正常的热传导现象外,还会产生一个电流,这就是温差电流。由于温差电流与回路电阻有关而难于表征,实验一般都采取图2-1(b)中的开路形式(两个开路的节点必须保持在同一温度下),得到温差电动势(V12。人们从实验中发现,(V12正比与温差(T,它们的比值S12=(V12/(T是一个仅决定于温度和两个恒温端的材料的函数,与材料的形状、线路具体连接方式等完全无关,并且具有线性可叠加性,因此,S12是材料的一个基本性质,被称为材料的Seebeck系数,也就是通称的材料的热电势。 Peltier热效应 第二种温差电效应是Peltier效应,如图2-2所示,当电流通过两种不同材料的节点时,除了通常的焦耳热以外,还会有额外的热量的流动,至于吸收或释放取决于和节点处两种材料的性质,热流量与电流成正比。另外,这种现象是可逆的,当电流反向时,热量的流动也反向。根据这些特点可以在实验上同焦耳热区分开。这样,热流与电流的比值(12是材料的一个基本属性,只与节点处的温度有关,称为Peltier系数。 在实验上,由于测量回路中总必须包含两种不同材料,从而只能测定这两种材料之间的相对热电势S12和Peltier系数(12,这在理论上是不方便的。由于这两种温差电效应都满足线性可叠加性,这表明热电势似乎是大块材料的固有性质,从而可以认为每种材料都有自己的绝对热电势S和Peltier系数(,实验测到的系数等于这两种材料各自系数的差,S12=S1-S2,(12=(1-(2。最初这只是纯理论上的假定,但当Thomson效应发现了以后,可以在实验上直接获得材料的S和(了。 Thomson效应 Thomson效应是第三种温差电效应,与前两者不同的是它发生在一种材料中。如图2-3所示,当材料中同时存在电流Jx和温度梯度dT/dx时,单位体积内的热流量为: (2-2) 该公式由William Thomson(Kelvin)提出后,成为温差电效应的基本公式。公式的第一项就是焦耳热,而第二项与温度梯度和电流(包括方向)成正比,就被称为是Thomson热。与前两种温差电效应相同,Thomson热效应也是一种可逆效应,系数(被称为Thomson系数,也是材料的基本属性。 温差电效应的三个系数并不是独立的,它们通过Kelvin关系式联系在一起: (2-3) 根据这两个关系式可以方便的从一个系数导出其它的系数。例如,由Kelvin第一关系式可以得到材料的绝对热电势S: (2-3a) 根据热力学第三定律,当T(0时,材料的温差电现象应该消失,就是说S(0)=0。这样,原则上根据上式可以确定材料的任何温度下的绝对热电势S(T)。 不过Thomson系数(在实验上并不容易测量,尤其是在非常低的温度下,所以这种方法测量热电势在实验上还是不太方便的。自从超导电性现象发现以后,人们注意到材料发生超导转变以后,温差电现象就完全消失了,即有S=0。这样为实验测量提供了一个有效的手段,将超导材料与待测材料组成回路后,在超导材料的转变温度以下进行测量,则实验得到的S12就是待测材料的绝对热电势。该方法非常简单实用,现在低温下的热电势基本上都是采用这种方法确定的。 从公式 (2-2)来看,由于焦耳热与电流的平方成正比,当逐渐减小电路中的电流强度时,焦耳热将迅速减小以至于能够忽略不计,此时几乎所有的热流量都来自于Thomson热,将公式稍作变换,可以得到: Q = –( q(T (2-4) 式中Q为单位体积内吸收或释放的热量,q为通过单位体积内的电量。这个公式意味着Thomson热可以看作单位电荷缓缓地移向高温区时吸收的热量。所以,Thomson本人提出,Thomson系数(在某种意义上可以被称作一种“电子比热”,这一点在概念上是比较容易理解的。当然,这不是通常意义下的比热,是在一定的温度梯度和非常微弱的电流下观察到的等效“输运比热”。类似的,绝对热电势S也可以看作电子的“输运熵”,在这个意义下可以使用热力学公式导出Kelvin关系式。 理论研究 温差电现象人们发现的也比较早,但是深入的研究

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