掺Gd3钼酸盐AMoO4A=CaSrBaPb自旋哈密顿-物理学报.PDFVIP

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掺Gd3钼酸盐AMoO4A=CaSrBaPb自旋哈密顿-物理学报

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 4 (2013) 047102 掺Gd3 钼酸盐AMoO4 (A Ca, Sr, Ba, Pb) * 自旋哈密顿参量的理论计算 12† 1 1 1‡ 2 杨维清 张胤 高敏 林媛 赵小云 1) ( 电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室, 成都 610054 ) 2) ( 成都信息工程学院光电技术系, 成都 610225 ) ( 2012年7月20 日收到; 2012年9月20 日收到修改稿) 采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法, 计算了Gd3 在钼酸盐AMoO4 (A Ca, Sr, Ba, Pb) 晶体中 0 0 4 0 4 的自旋哈密顿参量(g 因子g , g⊥ 和零场分裂b , b , b , b , b ). 矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算. 计算结果 2 4 4 6 6 ¯ ¯ ¯ 显示, 应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量A2 R0 , A4 R0 和A6 R0 ], 计算的七个自旋哈密顿参量 与实验结果符合甚好, 表明该方法可用于计算或解释Gd3 在晶体中的自旋哈密顿参量. 关键词: AMoO4 (A Ca, Sr, Ba, Pb):Gd3 晶体, 自旋哈密顿参量, 晶体场理论, 对角化能量矩阵 PACS: 71.70.Ch, 76.30.Kg, 75.10.Dg DOI: 10.7498/aps.62.047102 量晶体中Gd3 的自旋哈密顿参量都缺少理论解 1 引言 释. 鉴于除单电子晶体场机制外的其他机制的作 用会部分抵消, 我们发展了一种基于单电子晶体 掺稀土离子的钼酸盐可用于激光和发光(包括 场机制的对角化能量矩阵方法来统一计算晶体中 上转换和下转换发光) 器件而受到人们的极大关注 3 Gd 的g 因子和零场分裂, 并获得了与实验一致的 1−6 , 因此它们的谱学性质就引起了人们广泛的兴 结果22−24 . 本文用该方法计算了AMoO :Gd3 的 4 趣7−15 . 由于掺Gd3 晶体的电子顺磁共振(EPR) 自旋哈密顿参量, 并对结果进行了讨论. 谱可在室温下测量, 钼酸盐AMoO4 (A Ca, Sr, Ba, Pb):Gd3 的EPR 谱就早已被测量12−15 , 人们从中 2 计算

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