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无压力辅助硅玻璃激光局部键合
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
无压力辅助硅 玻璃激光局部键合
马子文 汤自荣 廖广兰 史铁林 聂 磊
华中科技大学机械科学与工程学院 武汉光电国家实验室武汉
摘要提出了一种新的无需外压力作用的硅玻璃激光局部键合方法通过对晶圆进行表面活化处理选择合适的
激光参数及加工环境成功地实现了无压力辅助硅玻璃激光键合 同时研究了该键合工艺参数如激光功率激光
扫描速度底板材料等的影响 实验表明激光功率越大扫描速度越小键合线的宽度就越大 实验结果显示该方
法能有效减少键合片的残余应力控制键合线宽并能得到较好的键合强度 该工艺可为 器件的封装与制
造提供简洁快速键合区可选择的新型键合方法
关键词 激光键合表面活化键合线宽
中图分类号 文献标识码 文章编号
了金属薄膜的压力化学和热传感 器件中
前言 这些工艺可能不再适用 尽管越来越多的研究者致
力于利用晶圆表面活化处理来降低阳极键合和熔融
在微系统工艺中特别是在硅微机械制造中用 键合的温度但它们都需要在整个器件或衬底上加
得最多的材料组合是硅和玻璃 由于硅具有良好的 热这会导致器件中不必要的应力和温度分布 在上
机械性能被多种工艺加工成微结构后它在传感器 述提到的键合技术中都不能进行选择性的键合键
制造中得到了大量的应用 同时由于借鉴了硅在 合面积和热影响区不能得到控制 因此为了使压力
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