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反激电源及变压器设计宝典 纵观电源市场，没有哪一个拓扑能像反激电路那么普及，可见反激电源在电源设计中具有不 可替代的地位。本文讲述了反激电源及变压器的设计。 提纲 1、反激电路是由buck-boost拓扑演变而来，先分析一下buck-boost电路的工作过程。 工作时序说明： t0时刻，Q1开通，那么D1承受反向电压截止，电感电流在输入电压作用下线性上升。 t1时刻，Q1关断，由于电感电流不能突变，所以，电感电流通过D1，向C1充电。并在 C1两端电压作用下，电流下降。 t2时刻，Q1开通，开始一个新的周期。 从上面的波形图中，我们可以看到，在整个工作周期中，电感L1的电流都没有到零。所以， 这个工作模式是电流连续的CCM模式，又叫做能量不完全转移模式。因为电感中的储能没 有完全释放。 从工作过程我们也可以知道，这个拓扑能量传递的方式是，在MOS管开通时，向电感中储 存能量，MOS管关断时，电感向输出电容释放能量。MOS管不直接向负载传递能量。整 个能量传递过程是先储存再释放的过程。整个电路的输出能力，取决于电感的储存能力。我 们还要注意到，根据电流流动的方向，可以判断出，在输入输出共地的情况下，输出的电压 是负电压。 MOS管开通时，电感L1承受的是输入电压，MOS关断时，电感L1承受的是输出电压。那 么，在稳态时，电路要保证电感不进入饱和，必定要保证电感承受的正向和反向的伏秒积的 平衡。那么： Vin×(t1-t0)=Vout×(t2-t1)，假如整个工作周期为 T，占空比为 D，那么就是： Vin×D=Vout×(1-D) 那么输出电压和占空比的关系就是：Vout=Vin×D/(1-D) 同时，我们注意看MOS管和二极管D1的电压应力，都是Vin+Vout 另外，因为是CCM模式，所以从电流波形上可以看出来，二极管存在反向恢复问题。MOS 开通时有电流尖峰。 上面的工作模式是电流连续的CCM模式。在原图的基础上，把电感量降低为80uH，其他 参数不变，仿真看稳态的波形如下： t0时刻，Q1开通，那么D1承受反向电压截止，电感电流在输入电压作用下从0开始线性上 升。 t1时刻，Q1关断，由于电感电流不能突变，所以，电感电流通过D1，向C1充电。并在 C1两端电压作用下，电流下降。 t2时刻，电感电流和二极管电流降到零。D1截止，MOS的结电容和电感开始发生谐振。所 以可以看见MOS的Vds电压出现周期性的振荡。 t3时刻，Q1再次开通，进入一个新的周期。 在这个工作模式中，因为电感电流会到零，所以是电流不连续的DCM模式。有叫做能量完 全转移模式，因为电感中储存的能量完全转移到了输出端。而二极管因为也工作在DCM状 态，所以没有反向恢复的问题。 但是我们应该注意到，DCM模式的二极管、电感和MOS 漏极的峰值电流是大于上面的CCM模式的。 需要注意的是在DCM下的伏秒积的平衡是： Vin×(t1-t0)=Vout(t2-t1) 只是个波形的正反问题。就好象示波器的探头和夹子如果反过来，那么波形就倒过来。 你注意看图的右边，看波形具体的定义是什么。有的波形是两个点相减出来的。 看波形图也要配合这原理图来看的。 当MOS开通的时候，二极管D1承受着反压，是一个负的电压。MOS关断的时候，二极管 导通，正向压降很低二极管的反向恢复，和其工作时 PN结的载流子的运动有关系。DCM 时，因为二极管已经没有电流流过了，内部载流子已经完成了复合过程。所以不存在反向回 复问题。会有一点点反向电流，不过那是结电容造成的。 在CCM和DCM模式有个过渡的状态，叫CRM，就是临界模式。这个模式就是电感电流刚 好降到零的时候，MOS开通。这个方式就是DCM向CCM过渡的临界模式。CCM在轻载 的时候，会进入DCM模式的。CRM模式可以避免二极管的反向恢复问题。同时也能避免 深度DCM时，电流峰值很大的缺点。要保持电路一直工作在CRM模式，需要用变频的控 制方式。 我还注意到，在DCM模式，电感电流降到零以后，电感会和MOS的结电容谐振，给MOS 结电容放电。那么，是不是可以有种工作方式是当MOS结电容放电到最低点的时候，MOS 开通进入下一个周期，这样就可以降低MOS开通的损耗了。答案是肯定的。这种方式就叫 做准谐振，QR方式。也是需要变频控制的。不管是PWM模式，CRM模式，QR模式，现 在都有丰富的控制IC可以提供用来设计。 2、那么我们常说，反激flyback 电路是从 buck-boost电路演变而来，究竟是如何从 buck-boost拓扑演变出反激flyback拓扑的呢？请看下面的图：