半导体制造工艺教案2.docVIP

课题序号 2 授课班级 075电子1、2 授课课时 8 授课形式 讲授 授课章节 名称 主题2、半导体制造工艺概况 使用教具 多媒体 教学目的 掌握常见器件的隔离工艺 了解典型双极型集成电路制造工艺 了解典型CMOS器件制造工艺 教学重点 器件的隔离工艺 教学难点 器件的隔离工艺 更新、补 充、删节 内容 无 课外作业 2-1——2-11 教学后记 授课主要内容或板书设计 第2章　半导体制造工艺概况 引言 2.2　器件的隔离 2.3　双极型集成电路制造工艺 2.4　CMOS器件制造工艺 课 堂 教 学 安 排 教学过程 主 要 教 学 内 容 及 步 骤 2.1引言 集成电路的制造要经过大约450道工序，消耗6~8周的时间，看似复杂，而实际上是将几大工艺技术顺序、重复运用的过程，最终在硅片上实现所设计的图形和电学结构。在讲述各个工艺之前，介绍一下集成电路芯片的加工工艺过程，使学生对半导体制造的全局有一个认识，并对各个工艺在整个工艺流程中的作用和意义有所了解。集成电路种类很多，以构成电路的晶体管来区分有双极型集成电路和MOS集成电路两类，前者以双极型平面晶体管为主要器件，有晶体管晶体管逻辑（TTL）电路、高速发射极耦合逻辑（ECL）电路、高速低功耗肖特基晶体管晶体管逻辑（SLTTL）电路和集成注入逻辑电路（I2L）几种，后者以MOS管为基础，