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MOSFET 基础 区增大的原因是栅极和漏极的反向偏压V (=V +V )比栅 概述 DG GS DS 极和源极之间的偏压VGS更高。 由于作为电源应用开关器件的双极性功率晶体管(BPT) 具有几项劣势， 因此开发了功率金属氧化物半导体场 效应晶体管(MOSFET)。功率MOSFET用于开关电源(SMPS) Drain 、计算机外设、汽车和电机控制等应用。持续不断的研 究已使其特性得到改进，从而能取代BJT。本应用指南 N 大致说明了功率MOSFET并简要介绍了某些产品的规格。 P P VDS 公司历史 Gate 场效应晶体管(FET)背后的理论自20世纪二三十年代开 始就广为人知，20年后双极结型晶体管才被发明出来。 Source 当时，美国的J.E. Lilienfeld建议了一种晶体管模型 ，其每一侧都有两个金属触点，半导体顶部有一块金属 (a)VGS （栅极至源极电压）未提供 板（铝制）。半导体表面的电场由金属板供应的电压形 成，从而能够控制金属触点间的电流。这就是FET的初 始概念。由于缺乏合适的半导体材料并且技术不成熟， Drain Depletion 因此开发速度很慢。William Shockely于1952年引入了 N region 结型场效应晶体管(JFET)。Dacey和Ross在1953年对其 作出了改进。在JFET中，Lilienfeld提出的金属场被P- N结取代，金属触点被称为源极和漏极，场效应电极被 P P V DS 称为栅极。对小信号MOSFET的研究持续进行着，但在功 Gate 率MOSFET设计方面并无任何重大改进，直到20世纪70年 V 代才引入了新产品。 GS 1986年3月，由9人组成的飞兆公司开始研究功率MOSFET Source 。20世纪90年代，飞兆使用平面技术开发了QFET® 器 件 ® (b)VGS （栅极至源极电压）已提供 ，使用沟道技术开发了低压PowerTrench 产品。 图 1. JFET的结构及其工作原理 1.2. 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 1. FET MOSFET有两种类型，分别为耗尽型和增强型，每种类型 1.1. 结型场效应晶体管(JFET) 都有N/P–沟道。耗尽型通常开启，工作原理类似JFET （参见图 2）。增强型通常关闭，这意味着漏极至源 有两种类型的JFET ： N沟道型和P沟道型。两者均通过