GaN学习笔记.docx

GaN是直接跃迁的宽带隙材料，具有禁带宽度大(3.4eV，远大于Si的1.12eV，也大于SIC的3.0eV)，电子漂移饱和速度高，介电常数小，导热性能好等特点，在光电子器件和电子器件领域有着广泛的应用前景。GaN材料与金属欧姆接触的性能对器件有着重要的影响。低阻欧姆接触是GaN基光电子器件所必需的。 本论文分析了国内外GaN基光电子器件研究的历史和现状，重点对金属与n型GaN的欧姆接触进行了研究。在此基础上，在蓝宝石基和Si基GaN上制作了MSM结构光导型探测器，并对MSM探测器的结构进行了优化。 主要工作如下: 1.研究了Al单层电极及Ti/Al双层电极与蓝宝石基GaN在不同退火条件下的欧姆接触情况，并用X射线衍射谱(XRD)，二次离子质谱(SIMS)对界面固相反应进行了分析。并建立了一套欧姆接触电阻率测试系统。 2.研究了表面处理对n-GaN上无合金化的Ti/A1电极起的作用，比较了(NH4)Sx溶液和CH3CSNH2/NH4OH溶液两种不同的??面处理方法对GaN材料光致发光谱(PL谱)以及Ti/Al电极欧姆接触性能的影响。在用CH3CSNH2/NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti/Al电极，可得到较低的4.85~5.65*10-4Ω·cm2的接触电阻率，而且材料的发光特性也有明显提高。 3.在蓝宝石基和si基GaN上分别制作了MSM结构的光导型紫外探测器。测试了光响应度等参数。 4.利用Matlab软件对MSM结构的电场进行模拟，对MSM结构几何参数进行了优化。 GaN基材料，是指 = 3 \* ROMAN IIIA族元素Al、Ga、In等与V族元素N形成的化合物(AIN、GaN、InN)以及由它们组成的多元合金材料(InxGa1-xN，AlxGa1-xN等)。这些化合物的化学键主要是共价键，由于构成共价键的两种组分在电负性上较大的差别，在该化合物键中有相当大的离子键成分，它决定了各结构相的稳定性。 = 3 \* ROMAN III族氮化物AIN，GaN和InN可以结晶成下列三种结构:(l)纤锌矿(α相);(2)闪锌矿(β相);(3)岩盐矿。在通常的条件下，热力学稳定相是纤锌矿结构，而闪锌矿结构是亚稳态，只有在衬底上异质外延材料才是稳定的。纤锌矿结构的 = 3 \* ROMAN III-V材料都是直接带隙材料，随着合金组分的改变，其禁带宽度可以从InN的1.9eV连续变化到GaN的3.4ev，再到AIN的6.2eV[1，2]。这相应于覆盖光谱中整个可见光及远紫外光范围。还没有一种其他材料体系具有如此宽的和连续可调的直接带隙(见图2.1)。因此GaN基材料一直是第三代半导体材料的研究热点。 GaN具有纤锌矿和闪锌矿两种晶体结构，以六方晶系纤锌矿结构为常见。由于常用衬底蓝宝石上生长的GaN都是纤锌矿结构，所以纤锌矿结构的GaN更受人重视。GaN材料非常坚硬，其化学性质非常稳定，室温下不溶于水、酸和碱，熔点高，约为1700℃。GaN材料的禁带宽度为3.4eV，同时具有优良的电学性质。表2.1是GaN与Si、GaAs的一些参数的比较。 GaN材料优良的电学特性是决定器件性能的主要因素。在半导体器件中，热生泄漏电流主要由禁带宽度决定，因此在给定温度下，宽禁带的GaN材料比窄禁带Si、Ge等半导体的热生泄漏电流小10-14个数量级，有利于制作电荷藕合器件、非易失性高速存储器，用于光探测器可以减小暗电流。GaN材料的热导率高，有利于制作高功率放大器和激光器。高电场下高的电子饱和速率，低的介电常数，有利于制作微波毫米波器件。 GaN材料可以用来制作如下几类电子器件: l)高温、大功率及恶劣环境下工作的电子器件 2)高速及微波器件 3)电荷祸合器件(CCD)及动态随机存取器(DRAM) 4)其他电子器件 GaN基材料最突出的特点就是其连续可调的宽禁带，因此GaN材料最主要的应用是在光电子器件方面。事实上实现高性能的蓝光LED就是GaN材料研究的最初动力。GaN基材料主要用来制作发光二极管(LED)，激光二极管(LD)和紫外探测器等光电子器件。 发光二极管住(LED) LED是一种注入型电致发光的半导体器件，当半导体p-n结通过正向电流时，通过少数载流子的注入复合而发光。LED的发光波长主要是由材料的禁带宽度决定: 式中:λ为发光波长，h是普朗克常数，c为光速，Eg为材料的禁带宽度。GaN基材料的禁带宽度为1.9-6.2eV，根据上式计算得到的光波长范围为0.2-0.652μm。因此用GaN基材料可以制作从红光到紫外光的LED，实现红、绿、蓝可见光三基色发光。 1993年，Nakalnura等人开发出第一个蓝色InGaN/AlGaN双异质结LED[16]，如图2.3所示，采用Zn掺杂InGaN作为有源层，