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专家论坛 Expert Forum 自组装量子点生长和结构形态研究 犕犅犈 ａ ａ ａ ａ ｂ ｂ ｃ 吴巨金鹏吕小晶王占国曾一平王宝强姚然 ， ， ， ， ， ， 　 　 　 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 （ ａ． ； 半导体材料中心；白光中心，北京 ） ｂ． ｃ． １０００８３ 　 摘要综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究介绍了关于量子点成核和形态 ： 。 、 ／（） ／ （） 的热力学理论量子点生长过程的计算机模拟及 和 量子点生长 ＧｅＳｉ００１ ＩｎＡｓＧａＡｓ００１ 鉴于 体系的复杂性把对 量子点的观察和研究分 和形态的实验观察。 ／ （） ， ＩｎＡｓＧａＡｓ００１ ＩｎＡｓ 微观和宏观两种微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构量子点表面小晶面的 为“ ” “ ” 。 、 这些性质可能受热运动的影响比较大在一定程度上是随机的它们代表 晶体学的精确取向等， ， ， 宏观研究的对象是指量子点密度纳米尺度形态等大量粒子统计意 了量子点生长行为的复杂性； 、 这些性质和行为可能更具有实际意义因此作者认为目前研究量子点生长和 义上的集体行为， 。 ， 形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半 量子点生长过程的实验观察结果表明 导体材料重点实验室最近所做的对 ／ （） 。 ， ＩｎＡｓＧａＡｓ００１ （ ， ， ／）， ， 在一般生长条件下富 量子点成核和生长应该都是连续的没 Ａｓ５００℃０．１ＭＬｓＩｎＡｓ 一级相变按照作者的观察把 量子点成核看作是连续 有经历被普遍认为的不连续（ ） 。