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2017-10-25 发布于北京
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p-Si基PTCDA生长模式的AFM和XPS研究.pdf

宋珍等: -Si基生长模式的和研究 PTCDA AFM XPS 1041 p 基生长模式的和研究。 p-Si PTCDA AFM XPS 1 1 2 1 2 宋珍 9刘凤敏 9欧谷平 9甘润今 9张福甲北京机械工业学院基础部9北京 ; 兰州大学物理科学与技术学院9甘肃兰州 1. 100085 2. 730000 摘要! 对有机/无机光电探测器 / 样品带和第一紧束缚导带之间的能量是 2.2eV9而每个晶 PTCDA -Si p 的表面进行得扫描看出9 呈岛状生长9 胞含有个分子9分子间重叠距离为 O 在常 AFM PTCDA 2 0.321nm 各岛成圆丘状9岛的分布不均匀9 层中存在大温下9高度有序的PTCDA 薄膜的空穴浓度为 51014 PTCDA 量缺陷G原因是 ( )衬底的表面原子悬挂键的 -3 9其垂直基片的空穴迁移度在 10-7 -6 2/ p-Si 100 cm ~10 cm [ ] 4 作用9使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其之间 9对波长为的光透明O V s 632.8nm 它缺陷引起的G将样品表面的 XPS全谱及精细谱与将 PTCDA 通过真空蒸发在 p-Si 表面9由于两种表面的 AFM 扫描图进行对比分析9得出 PTCDA 在材料的禁带宽度~ 电子亲合能~ 功函数和介电常数等不基底上的生长模式9即t 首先在缺陷处聚同9以及界面处载流子浓度的巨大差异9将界面处形成 p-Si PTCDA [ ] 集9形成许多三维岛状的 PTCDA 晶核9然后在 PTC- 空间电荷的偶极层9即异质结势垒5 O 制成的有机/无 DA 离域大键的作用下9相邻的两层PTCDA 分子存机光电探测器在外加很高的反向偏