ZnO棒晶阵列薄膜的水溶液法生长.pdfVIP

第2l卷第4期 无机材料学报 v01．21．NO．4 Journalof Materials Jul．，2006 2006年7月 Inorganic 文章编号：1000—324X(2006)04—0999—06 ZnO棒晶阵列薄膜的水溶液法生长 刘晓新1，靳正国1，王惠2，赵 娟1，刘志锋1 (1．天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室，天津300072；2．天 津大学分析中心，天津大学设备处，天津300072) 摘要： 采用低温水溶液法，在涂覆ZnO种子层的ITO基底上制备了高度取向的ZnO棒晶 阵列，考察了棒晶的生长过程以及生长液浓度、生长时间对薄膜形貌的影响．用扫描电子显微 对ZnO纳米棒的结构和形貌进行了表征．结果表明，ZnO薄膜的形貌强烈依赖于生长溶液的 浓度和生长时间，ZnO棒是单晶，属予六方纤锌矿结构，具有沿(002)晶面择优生长的特征， 生长方式为层层台阶生长，反应时间达到48h后，通过二次生长形成特殊的板状晶． 关键词：ZnO；棒晶；水溶液法；生长机理 中图分类号：078 文献标识码：A 1引言 缚能高达60meV，在紫外波段具有强的自由激子跃迁发光，加上原材料资源丰富、价格便 宜、无毒害，适合于薄膜的外延生长，在信息光电领域有广泛的应用前景，是近年来继GaN 之后国际上又一研究热点【1，引．由于一维的ZnO阵列纳米材料具有独特的光学、电学和声学 等性质而使其在发光二极管[31、光探测器【到、光敏二极管【引、气敏传感器【引、太阳能电 池【7，8j等方面具有广泛的应用前景． 要较复杂的设备、较高的温度和金属催化剂，不适合大面积制备薄膜，模板法在去除模板 的过程中容易造成薄膜的塌陷和棒的破坏，大面积制备均一的薄膜也存在困难．水溶液法 液法设备简单，反应条件温和，无需催化剂，环境友好，是大面积制备一维ZnO微结构的 貌的影响，并观察到了薄膜的台阶生长方式． 2实验 2．1衬底处理与缓冲层制备 收稿日期： 2005一)8-15，收到修改稿日期：2005—11—07 基金项目： 天津市基础研究重点项目 通讯联系人：靳正国． 作者简介：刘晓新(1979一)，男，博士研究生． E-mail：zhgJin@tju．edu．an 1000 无机材料学报 实验采用ITO导电玻璃(深圳南玻集团，方块电阻lOQ．am)为衬底．处理步骤：(1)分 别在丙酮、乙醇溶液(‰：‰=l：2)和去离子水中超声清洗30min．(2)干燥后备用． 的溶胶．然后使用自制的拉膜仪对处理好的衬底进行浸渍一提拉制膜，提拉速度为5cm／min． 复3次，所得缓冲层厚度一200nm． 2．2一维ZnO阵列的制备 胺((CHa)6Na，HMT，天津大茂化工厂)组成的生长溶液(Zn／(CH3)6 离子水冲洗以除去吸附的多余离子和铵盐，于空气中干燥． 2．3表征和测量 ZnO纳米棒阵列薄膜的表面形貌和阵列结构用扫描电子显微镜(SEM，PhilipsXL一30)、 场发射扫描电子显微镜(EFSEM，JOEL6700)和透射电子显微镜(TEM，Philips 3结果和讨论 3．1晶体结构与成分分析 (002) (a) o = d ￥ 备 。琶 8 萑 (004) 10 20 30 40 50 60 70 80 2e／(。) 图1ZnO薄膜的X射线衍射图(a)，能谱图 (b)，高分辨透射电镜图(C)