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一种生长Ga3PO7晶体的新助熔剂体系.pdf
第39卷第4期 人 工 晶 体 学’报 v01．39N。．4
OFSYNTHETICCRYSTAIS
2010年8月 JOURNAL August，2010
P07晶体的新助熔剂体系
一种生长Ga3
郭永解，李静，王继扬，尹 鑫，韩树娟，王永政
(山东大学晶体材料国家重点实验室，济南250100)
mmx21inin×
生长的助熔剂体系；在新助熔剂体系下，采用顶部籽晶法生长出厘米级Ga3PO，晶体，晶体尺寸为30
9ram；对其基本性质进行表征，在测试范围内所生长的Ga3PO，晶体透过率均在80％以上，具有高的透过率和宽的
透过范围。
关键词：Ga3PO，晶体；新助熔剂体系；顶部籽晶法
中图分类号：0782 文献标识码：A
ANewFlux fortheGrowthof Crystal
System Ga3P07
GUO
Yong-jie，LI．1ing，WANGJi-yang，YINXin，HANShu-jt．mrt，WANGYong—zheng
of
(StateLaboratoryCrystalMaterials，ShandongUniversity，Jinan250100，China)
Key
21January2010，accepted2010)
(Received 2却ril
newflux wagsuitableforthe of
Abstract：ThesystemM003-K2C03，which growthGa3P07crystal，Was
with of30mm×21 mm×9mm
found nucleation size
P07crystallarge
byspontaneousexperiments；Ga3
hadbeen the solution basic ofthe were
as—grown
grownby top-seededgrowth．Theproperties crystal
to revealsthatthe
itstransmittanceis 80％．Theresults
characterized，and up as-grownGa3P07crystal
hasa transmittanceandawide
hishoptical opticaltransparencyregion．
flux method
Key
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