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三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响.pdf
45卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v01．45N。．5
三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响
李小杜1，2一，尚 林1’2’3，朱亚丹1’2’3，贾志刚1’2’3，梅伏洪1’2…，
翟光关1’2’3，李学敏1’2…，许并社1’2’3
(1．太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室，太原030024；
2．太原理工大学新材料工程技术研究中心，太原030024；3．太原理工大学材料科学与工程学院，太原030024)
温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致
发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析。
当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080
GPa、0．81GPa和0．65GPa，呈现逐渐减小的趋势。这可能是由于
叭×108／cm3，同时外延层残余应力分别为o．86
三维生长温度不同时，外延层生长模式和弛豫程度发生改变所致。
关键词：GaN；三维生长温度；位错；残余应力
中图分类号：TN304 文献标识码：A
Effectof3DGrowth onthePerformance
Temperature
of GaN
UndopedEpitaxialLayer
L／Xiao-dul，2．一，SHANGLinl，2，一，ZHUYa．danl，2”，JIAZhi—gan91’2…，
MEI Xue．minlt2’3，XUBing—shel2，3
Fu—hon91，2，3，ZHAIGuang．meil’2’3，LI
inAdvancedMaterials ofEducationandShanxi
ofInterfaceScienceand Province，Taiyuan
(1．KeyLaboratory Engineering Ministry
CenterofAdvancedMaterialsScienceand of
of University
Technology，Taiyuan030024，China；2．Research Technology，Taiyuan
University
ofMaterialScienceand of
UniversityTechnology，Taiyuan030024，China)
Technology，Taiyuan030024，China；3．College Engineering，Taiyuan
(Received28December 28 2016)
2015，acceptedJanuary
of onthe andresidualstress
Abstract：Effects
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