不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响.pdfVIP

湖南有色金属 第32卷第3期 HUNANNONFERROUS 2016年6月 METAl5 不同生长温度对Ga掺杂znO透明 导电薄膜性能的影响 龚 丽，刘云珍 (长沙理工大学物理与电子科学学院，湖南长沙410004) 摘要：采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的zn0(Gz0)透明导电薄膜，并研 究了不同生长温度对GzO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响。制备的GzO透 明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长，薄膜的表面形貌为蠕虫状，表明薄膜内存在较大的残 余应力。随着生长温度的升高，Gz0薄膜的电阻率先减小后增大，在生长温度为250℃时，薄膜的 最低电阻率为1．91×10。3Qcm。不同生长温度下所制备的GzO薄膜在可见光波段的平均透过率 均大于90％，薄膜具有优异的光学特性。 关键词：zno；Ga掺杂；透明导电薄膜；生长温度；磁控溅射法 中图分类号：0472+．4文献标识码：A 文章编号：1003—5540(2016)03—0060—05 znO是直接带隙宽禁带化合物半导体材料，其 电薄膜，研究了不同生长温度对Ga掺杂ZnO薄膜的 薄膜在可见光区域具有高透过率，同时由于存在很 性能影响。 多较浅的施主能级，znO薄膜在非故意掺杂的情况 1 试验部分 下就表现为n型导电，所以znO材料可以用作透明 导电材料，应用于各种器件的透明电极、面发热膜、 采用射频磁控溅射法制备Ga掺杂znO透明导 红外反射膜等领域¨。j。但是由于未掺杂的znO的电薄膜，Ga掺杂的znO为陶瓷靶材，其中Ga的含量 电阻率比较高，为了满足器件的应用要求，通常会掺 为4％，以普通载玻片作为衬底，通入Ar作为工作气 入Al、Ga、In、B或F等H墙1施主元素来提高薄膜的体，腔体的本体真空度为2．o×lO。3Pa，靶材和衬底 导电性能。在所有的掺杂元素中，Ga的离子半径 之间的距离为5cm。溅射功率为200W，溅射压强 (O．62A)、共价半径(1．26A)和zn的离子半径为0．15Pa，溅射时间为60lllin，生长温度分别为室 (0．74A)、共价半径(1．3lA)最为接近一’10]，而且温、150℃、200℃、250℃、300℃。 Ga—O键的键长(1．92A)和zn—O键的键长(1．97用x射线衍射(xRD)来表征薄膜结构性能。所 Kd= A)比较接近…J，即使在掺杂浓度很高的情况下，Ga采用的设备型号是BedeD1，x—ray源是Cu 1 0．154nm。用扫描电镜(SEM)表征薄膜的表面及 原子代替zn原子后引起的znO晶格畸变也比较小， 有利于Ga的掺入，所以Ga作为掺杂元素有利实现断面形貌，测量薄膜的厚度，所采用设备型号是FEI sirion200 ZnO的重掺，而且与Al元素相比，Ga元素不易氧化。 所以Ga元素被认为最有前途的掺杂元素。本研究 能进行测量，包括电阻率、Hall迁移率及载流子浓 以Ga掺杂的znO陶瓷为靶材，以普通载玻片为基度，所采用的设备型号是HL5500。用紫外一可见一 体，采用射频磁控溅射方法制备Ga掺杂znO透明导红外分光光度计(uV—VIS—IR)表征薄膜的光学性 能，测试薄膜在可见光波段的透射率，所采用的设备 基金项目：国家自然科学基金资助项目