晶体硅太阳电池表面纳米线阵列减反射特性研究-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 3 (2013) 037301 晶体硅太阳电池表面纳米线阵列减反射特性研究* † 梁磊 徐琴芳 忽满利 孙浩 向光华 周利斌 ( 西北大学物理学系, 西安 710069 ) ( 2012 年3 月29 日收到; 2012 年8 月30 日收到修改稿) 为增强晶体硅太阳电池的光利用率, 提高光电转换效率, 研究了硅纳米线阵列的光学散射性质. 运用严格耦合 波理论对硅纳米线阵列在310—1127 nm 波段的反射率进行了模拟计算, 用田口方法对硅纳米线阵列的表面传输效 率进行了优化. 结果表明, 当硅纳米线阵列的周期为50 nm, 占空比为0.6, 高度约1000 nm 时减反射效果最佳; 该结 构在上述波段的平均反射率约为2%, 且在较大入射角度范围保持不变. 采用金属催化化学腐蚀法, 于室温、室压条 件下在单晶硅表面制备周期为60 nm, 占空比为0.53, 高度为500 nm 的硅纳米线阵列结构, 其反射率的实验测试结 果与计算模拟值相符, 在上述波段的平均反射率为4%—5%, 相对于单晶硅35%左右的反射率, 减反射效果明显. 这 种减反射微结构能够在降低太阳电池成本的同时有效减小单晶硅表面的光反射损失, 提高光电转换效率. 关键词: 减反射, 硅纳米线阵列, 严格耦合波理论, 金属催化硅化学刻蚀 PACS: 73.20.Mf, 52.25.Os, 88.40.H−, 33.60.+q DOI: 10.7498/aps.62.037301 减反射薄膜. 在单晶硅的表面构筑特殊的微结构, 1 引言 在较宽的光谱范围和较宽的入射光角度范围减小 光的反射损失, 是提高单晶硅太阳电池的光电转 8 换效率的一种有效途径 . 本文首先对硅纳米线 太阳能电池的材料种类较多, 例如硅、砷化 镓、碲化镉、铜铟硒等, 它们普遍具有较高的折射 阵列(SiNW arrays) 的反射率进行了模拟计算, 得 到了形貌参数对反射率的影响规律. 其次, 对应用 率, 因材料表面反射超过35%的太阳光不能被利 12 在单晶硅太阳能电池表面的SiNW arrays 表面传输 用 , 因此, 太阳能电池需要采取减反措施. 目前 效率进行了优化, 得到了最优的减反射形貌参数. 最常采用的减反技术是在太阳电池表面涂覆一层 模拟和优化过程中, 分别运用了严格耦合波理论 导电减反薄膜, 减小入射光的反射损失. 这种减反 (RCWA)9−11 和田口方法(Taguchi method)12 . 最 射膜通常只能在特定波长范围和一定的入射角度 后, 用金属催化化学腐蚀法13−15 在单晶硅表面制 内减小反射, 因此, 需要探索一种更加有效的表面 备出SiNW arrays. 实验测试结果与理论模拟值相 处理技术实现在较宽的光谱范围内有效地减小太 符, 研究结果表明SiNW arrays 可以有效地实现宽