气相生长氮化铝单晶的新方法-中国科技论文在线.PDFVIP

中国科技论文在线 　第 36卷 第 1期 　 　　 　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　Vol. 36　No. 1 　 2007年 2 月 　　　　　　　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S 　　　　　　　　 February, 2007 　 气相生长氮化铝单晶的新方法 武红磊 , 郑瑞生 , 孙秀明, 罗 　飞, 杨 　帆, 刘 　文 , 敬守勇 (深圳大学光电子学研究所 ,深圳 518060) 摘要 :通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布 ,在开孔处形成局部低温区; 由于孔的几 何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性 ,开孔处的氮化铝晶体单晶化 ; 随后 ,开孔处的单晶起籽晶的作用 ,逐 渐长成较大尺寸 、较高质量的氮化铝单晶。目前用该方法已经制备出直径大于 2mm 的氮化铝单晶体 。 关键词 :氮化铝 ;物理气相传输 ;单晶 中图分类号 : O782 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2007) 0 1000104 A Novel M ethod for Grow ing A lN S ingle Cry sta l by Phy sica l Vapor Tran sport WU H ong lei, ZHEN G R u isheng, SUN X iu m ing, L UO F ei, YAN G F an, L IU W en, J IN G S hou y ong ( In stitu te of Op toelectron ics, Shenzhen Un iversity, Shenzhen 518060 , Ch ina) (R eceived 1 A ug ust 2006) A b stract: Temp eratu re distribu tion in the lid is changed by drilling a little ho le in the tungsten crucib le lid. B y th is way, a low temp eratu re local section on the lid is offered. A selfseeded A lN single crystal is grown due to the an isotrop ic grow th p rop erty of A lN crystals and lim itation of the ho le. In the fo llow ing grow th p roce ss, the crystal a s a seed becom e s a large size and h igh quality single crystal. B y th is m ethod, A lN single crystals w ith diam eters of larger than 2mm were ob tained succe ssfu lly. Key words:A lN ; p hysical vapor tran sport; single crystal 1　引　　言