环境友好半导体Ca2Si晶体生长及其性能研究.PDFVIP

第26卷 第5期 吉 林 大 学 学 报 (信 息 科 学 版) Vo1．26 No．5 2008年9月 JournalofJilinUniversity(InformationScienceEdition) Sept．2008 文章编号：1671—5896(2008)05-0459-06 环境友好半导体 Ca2Si晶体生长及其性能研究 崔冬萌，任雪勇，谢 泉，付姗姗，周文娟 (贵州大学 电子科学与信息技术学院，贵阳550025) 摘要：环境友好半导体材料casi晶体是直接带隙半导体，在室温下，其禁带宽度为 1．9eV，且在4．5eV以 下能量范围内，CaSi的光吸收系数大于 一FeSi：，因此 ，有望使用casi开发发光二极管、高效率太阳能电池 等。综述了近年来ca：si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展 ，由于现有的制备方法不适合大面 积的制备casi材料 ，因此，提出了利用磁控溅射技术制备 ca：si材料的设想。展望了ca：si的应用前景 ，探 讨了当前casi研究领域中存在的问题。 关键词：casi晶体；直接带隙材料 ；太阳能电池 中图分类号：TN304．2 文献标识码 ：A ResearchonCrystalGrowthandPropertiesofEnvironmental FriendlySemiconductorCa2Si CUIDong—meng，RENXue—yong，XIEQuan，FUShan—shan，ZHOUWen-juan (SchoolofElectronicScienceandInformationTechnology，GuizhouUniversity，Guiyang550025，China) Abstract：EnvironmentalfriendlysemiconductormaterialCa2Sicrystalisadirectsemiconductorwithabandgap energyof1．9eV．SincetheabsorptioncoefficientofCa2Siislargerthan ／3-FeSi2，whentheenergyisunder 4．5eV，ithaspotentialforlight—emittingdiode，highefficacioussolarbattery．Theresearchprogressofmicro— structural，opticalandelectricalpropertiesandpreparationmethodofCa2Siinrecentyearsisoverviewed ． As theexistingmethodofpreparation isnotsuitableofrlargeareaofthematerialCa2Si thepreparationofCa2Si ， withmagnetronsputteringisadvanced． Finally，theapplication prospectandtheproblemsexistingin current researchofCa2Siarediscussed． Keywords：Ca2Sicrystal；directwidegapmaterial；solarbattery 引 言 半导体材料 Ca：Si具有优异的电学和光学特性，人们对这种新型半导体材料给予了极大的关注。它 具有禁带宽度E =1．9eV¨ 的直接带隙，是价格便宜、