蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF2MBE生长Journalof.PDFVIP

第 26 卷 　第 6 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 6 2005 年 6 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J une ,2005 蓝宝石衬底上单晶 In N 外延膜的 RFMBE 生长 肖红领 　王晓亮 　张南红 　王军喜 　刘宏新 　韩 　勤 　曾一平 　李晋闽 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) ( ) ( ) 摘要 : 采用低温氮化铟 InN 缓冲层 ,利用射频等离子体辅助分子束外延 RFMB E 方法在蓝宝石衬底上获得了 晶体质量较好的单晶 InN 外延膜. 用光学显微镜观察所外延的 InN 单晶薄膜 ,表面无铟滴. InN (0002) 双晶 X 射线 衍射摇摆曲线的半高宽为 14 ′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为 33nm ; Hall 测量表明 InN 外延膜的室温 18 - 3 2 ( ) 背景电子浓度为 33 ×10 cm ,相应的电子迁移率为 262cm / V ·s . 关键词 : RFMB E ; 氮化铟 ; DCXRD ; A FM PACC : 7280C ; 7360 F ; 3220R 中图分类号 : TN 304054 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 我们通过采用低温 InN 缓冲层技术 , 用 RF 1 　引言 MB E 方法在国内首次生长出单晶 InN 外延膜 , 并 ( ) ( ) 在 Ⅲ Ⅴ族氮化物中 ,氮化铟 InN 正受到人们 用双晶 X 射线摇摆曲线 DCXRD 、喇曼光谱 、原子 ( ) ( ) ( ) 越来越多的关注. 与氮化镓 GaN 、氮化铝 AlN 相 力显微镜 A FM 以及 Hall 测量对其晶体质量进行 比,InN 具有最小的有效质量 ,在理论上具有最高的 了表征. 载流子迁移率[ 1 ] ,所以它在高速微电子器件方面有 着广阔的应用前景. 同时在 Ⅲ Ⅴ族氮化物中 ,它还 2 　实验 具有最小的直接带隙. 最近有文献报道 , InN 的禁带 宽度应该在 08eV 左右[2～6 ] ,而不是原先大家所接 ( ) 外延生长是在国产分子束外延设备 R FMB E 受的 19eV [7 ] ,这样就使得 Ⅲ Ⅴ族氮化物的发光波 上进行的 ,N 源由高纯氮气经射频等离子体炉产生 , ( )