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衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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衬底温度和硼掺杂对 型氢化微晶硅
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薄膜结构和电学特性的影响!
杨仕娥 文黎巍 陈永生 汪昌州 谷锦华 郜小勇 卢景霄
（郑州大学物理工程学院，材料物理教育部重点实验室，郑州 !##$ ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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以 为掺杂剂，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备 型氢化微晶硅薄膜 研究了
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衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响, 结果表明：在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即
可导致薄膜非晶化；在实验范围内，随着衬底温度升高薄膜的晶化率单调下降，暗电导率先缓慢增加然后迅速下
降，变化趋势与硼烷掺杂比的影响极为相似 最后着重讨论了 型氢化微晶硅薄膜的生长机理
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关键词： 型氢化微晶硅薄膜，衬底温度，晶化率，电导率
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体为高纯 ， 和 的混合气体，气体总流量
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引 言 为 ’ ，其中 与 的流量比（即氢气稀
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释比）为 ， 与 的流量比（即硼烷掺杂
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与 型氢化非晶硅薄膜相比， 型氢化微晶硅
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