分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试.pdfVIP

第56卷第7期2007年7月 物理学报 1000．．3290／2007／56(07)／4127．．05 ACTAPHYSICASINICA ⑥2007 Chin．Phys．Soc． Mg工0 薄膜折射率及厚度的测试* 延凤平1)2’ 郑 凯1’ 王 琳1’ 李一凡1’ 龚桃荣1’ 筒水生1) 尾形健一3’ 小池一步2’ 佐佐诚彦2)3’井上正崇2)3’矢野满明2)3) 1)(北京交通大学光波技术研究所，北京100044) 2)(NewMaterialResearchCenter，OsakaInstituteof Technology) 3)(BioVentureCenter，OsakaInstituteof Technology) (2005年9月27日收到：2006年11月21日收到修改稿) 度进行了测试．结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量，经数值拟合，导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射 在制作ZIl。一，Mg，0薄膜的波导时控制薄膜的折射率提供了理论依据． 关键词：ZnMgO薄膜，偏振光椭圆率测量仪，折射率，分子束外延(MBE) PACC：7360F，0760F，0630C 1．引 言 体，也就是说，容易制作出工作于紫外光波长区域的 适合于任意波长的光电子材料．同时，由于ZnO晶 随着对用于蓝色及紫外固态激光器，发光二极 管和光检测器等半导体材料研究的深入，作为一种 新型的紫外半导体材料，ZnO，ZnMgO越来越受到人产生相分离．因此，如何控制生长条件，使在不产生 们的关注．与人们最初发现的紫外激光物质GaN相 相分离的条件下，尽可能提高Mg的掺杂量，从而制 比，ZnO具有与GaN相似的紫外发光特征，并且具有 造出可工作于很宽波长范围内的ZnMgO薄膜半导 比GaN亮的发光特性(因为在室温下，ZnO的激励束 体材料就成为ZnMgO晶体研究领域的重要课题．而 缚能为60meV，而GaN为26meV)，因而基于ZnO紫 在制作半导体器件时，对ZnMgO折射率的精确控制 就显得非常重要．在一定波长的激光作用下，ZnO 外激光器的研究就十分引人注目¨_40．ZnO是一种 具有广阔应用前景的透明晶体材料．如掺Al的ZnO由于具有双折射性，其对O光和e光体现出各自确 透明薄膜具有良好的导电特性，因而可作为透明电 定的折射率，而M舶不具有双折射性，体现出一种 固定的折射率．因而可以认为，zn，一。Mg。0薄膜同 极来使用．掺Mg元素后构成ZnMgO薄膜材料，不 仅可作为制作透明晶体管和紫外线传感器的材料使 样具有双折射性，其对O光和e光体现出的折射率 用，而且还有望用于制作人体生理机能指标传感器 的核心部件b_J． 之间，并且随Mg的组成量戈而变化．因此，如果准 确测得zn，一。Mg。0薄膜的折射率，也就可以得出薄 ZnO与MgO晶体具有相近的晶格常数和结合 长度，