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坩埚下降法生长铌酸锂晶体.pdf
第35卷第10期 硅酸盐学报 V01.35,No.10
2007年10月 JOUI㈨LoF珊CHⅡ咂SECERA~ⅡCSoCmTY
坩埚下降法生长铌酸锂晶体
向卫东1,粱晓娟02,陆宝亮3,李新华3,徐家跃3,夏宗仁4,吴剑波4
硅酸盐研究所,上海200050;4德清华莹电子有限公司,浙江德清313216)
摘要;采用坩埚下降法,生长了直径为5cm的铌酸锂品体。探讨了晶体生长工艺条件,测试了晶体的透过光谱。所得晶体呈浅茶色,分析认为主
要是氧空位缺陷所致。铌酸锂晶体通常用作声表而波(ml—ke
晶片开裂.肯利于提高sAw器件成占占率。
关键词:铌睃锂晶体;坩埚F降法;晶体生长
中囤分类号:0782支蘸标识码:A 文章编号;0454_5“8f200711¨138703
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Abstract:Asasurfkeaco吣廿c t05cm-ndi蛐就盱was thevenic鲥
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