坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究.pdf

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坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究.pdf

第44卷第12期人工晶体学报 v。1．44No．12 ：：兰Q!i生!兰旦』Q旦垦堕垒生Q!璺!堕!旦垦!!垦鱼旦!璺!垒坚旦!!!竺堕!：!Q!! 坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究吴敬尧，朱世富，赵北君，何知宇，陈宝军，黄巍，孙宁，林莉，王黎罡 (四川大学材料科学系，成都610064) 摘要：针对CdSiP：晶体生长过程中，晶体表面与石英坩埚内壁严重粘连甚至开裂的问题，研究了柔性氮化硼(PBN) 坩埚材料生长的CdSiP：晶体表面元素成分和化学状态进行测试发现，采用石英坩埚生长的CdSiP：晶体表面主要组分元素为33．3l％的si和65．63％的0，晶体表面si2p的结合能为103．2eV，与文献中Si02的Si2p结合能一致。进一步的分析表明，高温CdSiP：熔体离解产物与石英材料反应生成SiO：界面层是导致晶体严重粘连，甚至开裂成碎块的重要原因；采用柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚能有效解决晶体与器壁的粘连，生长的CdSiP：晶体完整较好，表面层各组分元素含量接近CdSiP2理论化学配比l：1：2，质量较高。关键词：CdSiP：；晶体生长；石英坩埚；氮化硼坩埚中图分类号：0782 文献标识码：A EffectofCrucibleMaterialsontheSurfaceof Crystal CdSiP2 Li，WANGLi-班ng WU．1ing-yao，ZHUShi-fu，ZHAOBei-jun，HEZhi-yu，CHENBao-jun，SUN，Ⅵ昭，LIN ofMaterials (DepartmentScience，SichuanUniversity，Chengdu610064，China) 9June201 30 201 (Received 5，acceptedSeptember5) ofas crucible ordertoovercomethe of adhesion Abstract：In problemsheavily growncrystalsandquartz and the of new in crystalcrackingduring CdSiP2crystalgrowth，atechnologyi．e．，crystalgrows process aPBN constituentsandchemicalstateofthesurfaceofthe liningcrucible，wasinvestigated．The grown werecharacterized CdSiP2crystals byenergydispersivespectrometer(EDS)andX—rayphotoelectron isfoundthatthemainelementsonsurfaceof crystal quartz spectroscopy(XPS)．It