基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.88万字
约 4页
2017-10-25 发布于北京
举报
版权申诉

基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究.pdf

畿电子·撒光第19卷第4期2008年4月 of V01．19No．4 Journal Apr．2008 Optoelectronics·Laser 基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究* 焦宝臣h2，张晓丹h’，赵颖1，魏长春1，孙建1，赵静3，杨瑞霞2 (1．南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津，300071；南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。天津，300071；光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津，300071；2．河北_T业大学信息学院，天津，300130；3．天津新华职工大学，天津300040) 摘要：利用超声雾化热分解法(LISP)，通过悼舢共掺的方法，制备出P型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时问乙0薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明：其它条件固定时，只有在合适的生长时间条件下，才能得到电学性能较好的忖～共掺P型ZnO薄膜(电阻率为46．8Q·crn、迁移率为0．05crn2·V叫·s一1、载流子浓度是2．86×101sClTI～。关键词：超声雾化热分解法；N-AI共掺Zn0；P型Zn0 中图分类号：()484文献标识码：A 文章编号：1005·0086(2008)04—0482—04 ofelectricalandstructural of ZnOfilms tothe di— Study propertiesp-type along growth rection Xiao-danh’，ZHAO JIAOBao-chenl“，ZHANG Yin一，、ⅣEI Jianl， Chang-chunl，SUN ZHAO Rui—xia2 Jing。3．YANG ofPhoto-electronicThin Device (1．Institute Film and ofNankai Technique University，Tianjin300071。China，Key LaboratoryofPhoto-electronics邢1inFilmDevicesand of TechniqueTianjin，Tianjin300071，China，KeyI．aboratory ofPhoto-electronicInformationScienceand ofEduca— Technology(NankaiUniversity，TianjinUniversity)，Ministy ofInformation of tion，Tianjin300071，China；2．CollegeEngineering。HebeiUniversity 300130，