东南大学考研半导体物理基础(09-1).pptVIP

半导体物理基础(Elementary Semiconductor Physics) 2 . 半导体的晶体结构 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.3 Carrier concentration and EF Calculations 同理： EF高于Ei,n0p0,n型 EF低于Ei,p0n0,p型 本征半导体: 是指一块没有杂质和缺陷的半导体. 本征激发: T0K时,电子从价带激发到导带,同时价 带中产生空穴. 1. Intrinsic Semiconductor（本征半导体） n0=p0 =ni ni ------本征载流子浓度 n0 p0 =ni 2 能带图~价键图 *从si的共价键平面图看: P15:1S22S22P63S23P3 Doped /extrinsic Semiconductor（掺杂/非本征半导体） (1) Donor（施主杂质 ） n型半导体 Ⅳ族元素硅、锗中掺Ⅴ族元素,如P: Si14:1S22S22P63S23P2 杂质原子的束缚比共价键的束缚弱得多,只要很少的能量就可以使它挣脱束缚,成为导带中的自由粒子.这个过程称杂质电离. 能带图~价键图 磷杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产