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场效应管工作原理介绍.pdf

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场效应管工作原理介绍

场效应管放大器 1 场效应管  绝缘栅场效应管  结型场效应管 2 场效应管放大电路  效应管放大器的静态偏置  效应管放大器的交流小信号模型  效应管放大电路 1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(i ~ i ) ,工作时,多数载流 B C 子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。 场效应管 (Field Effect Transistor简称FET )是一种 电压控制器件(u ~ i ) ,工作时,只有一种载流子参与 GS D 导电,因此它是单极型器件。 FET 因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入 电阻极高等优点,得到了广泛应用。 N沟道 增强型 绝缘栅场效应管 P沟道 FET分类: 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 结型场效应管 P沟道 一. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管( Metal Oxide Semiconductor FET), 简称MOSFET 。分为: 源极s 栅极-g 漏极d 增强型  N沟道、P沟道 - - 耗尽型  N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 N + N + (1)结构 4个电极:漏极D, P衬底 d 源极S,栅极G和衬底B 。 - g - 衬底b 符号: - - b - s (2)工作原理 ①栅源电压uGS 的控制作用 当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在 d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。 当u >0V时→纵向电场 V GS s DD

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