电力电子与电动机.docVIP

目录 1 电力电子学为什么很重要？2 电力电子学的应用3 电力电子学与新能源应用4 电力电子技术的演变5 电力半导体器件的发展6 电力电子变换器的发展7 传动用电机的发展 1～3、(略)4 电力电子技术的演变电力电子技术的发展阶段: 电力电子和电机传动发展历史上的若干重要事件l 1897年 开发了三相二极管桥式整流器l 1901年 peter cooper hewitt演示了玻璃壳汞弧整流器l 1906年 kramer传动问世l 1907年 scherbins传动问世l 1926年 热阴极闸流管问世l 1930年 纽约地铁安装了用于直流传动的3mw栅控汞弧整流器l 1931年 德国铁路上引入了汞弧周波变换器，用于电动机牵引传动l 1934年 充气闸流管周波变换器—同步电动机(400马力)安装于洛根发电站，用于引风机传动(第一次实现交流变频传动)l 1948年 贝尔实验室发明了晶体管l 1956年 硅功率二极管问世l 1958年 商用半导体晶体闸流管(scr)由通用电气公司引入市场l 1971年 矢量控制(或磁场定向控制)问世l 1975年 日本东芝公司将大功率的bjt引入市场l 1978年 ir公司将功率moseet引入市场l 1980年 大功率的gto在日本问世l 1981年 二极管箝位的多电平逆变器问世l 1983年 igbt在通用电气公司问世l 1983年 空间(电压)矢量pwm技术问世l 1986年 直接转矩控制技术(dtc)问世l 1987年 模糊逻辑首次应用于电力电子l 1991年 人工神经网络被应用于直流电动机传动l 1996年 abb公司将正向阻断型igct引入市场 5 电力半导体器件的发展l 二极管(1955) l 晶闸管(1958) l 双向晶闸管(triac)(1958) l 门极可关断晶闸管(gto)(1980) l 双极功率晶体管(bjt或gtr)(1975) l 功率mosfet(1975) l 绝缘门极双极性晶体管(1985) l 绝缘栅双极晶体管(igbt)(1985) l 静电感应晶体管(sit)(1985) l 集成门极换流晶闸管(igct)(1996) l 碳化硅器件 器件功率—频率趋势如图3所示。 igbt概述l 自1983年问世之后发展得非常快l 简单的结构—简单的加工过程l 不对称的和对称的阻断型器件均已问世l 可构成灵巧功率集成电路(smart power)l 市场化器件达3500v，1200a(6.5kv和10kv器件已在测试中)l 智能功率模块达到1200v，800a(供250马力电动机用)l 具有方形安全工作区—无吸收缓冲器运行的优点和缺点l 具有沟槽栅的第四代igbt器件(通态压降有可能降低一半)l 在大功率条件下，pwm开关频率可达1khzl 在三电平逆变器中逆变器容量可达1mw或更高igct概述l 1996年由abb公司引入的器件l 电流控制型器件(即硬驱动的gto，关断电流增益b=1)l 驱动器做在模块上l 反并联二极管做成一体式l 市场化器件达6500v，4000a(10kv器件在测试中)l 不对称的和对称的阻断型器件均已问世l 有可能串—并联运行l 可带或不带缓冲器运行l 在1khz频率下通态压降低于igbt l 对大功率应用是非常有发展前景的器件电力半导体器件的进展和发展趋势l 现代电力电子技术的进步主要地是跟随着电力半导体器件的进步，而它又是随着微电子技术的发展而进化的l 相位控制类器件(晶闸管、双向晶闸管)逐步过时l 绝缘栅控制类器件(igbt、功率mos场效应管)占有越来越大的优势l 功率mos场效应管将在低电压高频化场合保持广泛的应用l gto将逐渐过时(较低的功率被igbt取代，较大的功率被igct取代)l 对较高电压的mosfet和高电压的igbt，导通压降正日益降低l 碳化硅器件将给大功率电力电子技术带来更新的面貌—更长期地则是金刚石器件 6 电力电子变换器的发展变换器分类l ac—dc:整流器n二极管整流管n晶闸管相控整流器npwm(电压源或电流源)整流器(硬开关或软开关)l dc—dc:斩波器 npwm控制(升压型、降压型、升降压型)n带谐振环节n带准谐振环节l dc—ac:逆变器n晶闸管相控逆变器npwm(电压源或电流源)逆变器(硬开关或软开关)l ac—ac:交流控制器(同频率)、周波变换器(变频率)n晶闸管相控控制器(交流调压、调温、调光)n有直流环节(电压源或电流源)的变频器(硬开关或软开关)n有高频环节(电压源或电流源)的变频器n矩阵式