超高真空镀膜.docVIP

一、超高真空磁控镀膜方案 ﹑基本结构与组成 本系统为单室结构的超高真空多功能磁控溅射镀膜与离子束辅助清洗系统，可用于开发纳米级的单层、多层功能膜及复合膜---各种硬质膜、金属膜、合金膜、介质膜等。 系统主要由溅射室、磁控靶、Kaufman清洗离子枪及电源、可公转可自转可加热样品台、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统、断水报警系统和微机控制镀层系统等组成。 ﹑主要技术性能指标 1. 真空室结构及尺寸 1.1磁控溅射室：约Ф560×450（mm），为筒形立式全不锈钢结构，外表面喷丸亚光处理。上盖电动提升，前面与侧面各装一个Φ100和Φ63的封接观察窗,两个CF35四芯引线法兰，二个截止阀，一个旁抽阀，可内烘烤100～150℃。除大法兰密封口、动密封等采用氟橡胶圈密封外，其余各法兰口均按超高真空系统设计，采用金属密封。在溅射室侧面开一个清洗用离子枪法兰。 1.2 除上述各密封法兰口外，在两个室的四周各留有两个CF35的法兰口，并配以相应的盲板。 2. 真空获得及测量 2.1 极限真空和工作真空 真空室经12小时烘烤并连续抽气，可达到6.67×10-5Pa； 真空室经过暴露大气后，抽气40分钟可达到×10-4Pa； 2.2 检漏漏率： ≤10-8 Pa.L/S；且停泵关机12小时后真空度优于5Pa。 2.2.3 真空获得： 采用一套（ FF200/1200,北京科仪）1200L/S分子泵+Trp-机械泵通过一CC200超高真空闸板阀进行主抽，通过一CF角阀旁抽； 2.4 真空测量：采用一台ZDF数显复合超高真空计测量（全部采用金属规管）。 3. 衬底基片 3.1 样品转盘，在溅射室的上盖上安装一个可公转可自转可加热的样品转盘。转盘上放置六块样品，样品尺寸为Ф30mm。其中块样品安放在加热炉下面，加热炉为电阻丝式，样品加热温度：室温～500℃，加热控温采用日本产的温度控制器，其余样品自然冷却。样品均可自转，转速0—30转/分连续可调，各样品均可加负偏压。 3.2 挡板系统 磁控溅射室装有两种挡板系统，即样品挡板与靶挡板，样品挡板由样品叉控制，手动驱动靶挡板由计算机控制其开关方式。 2.3.3 样品可以通过手动磁力传递机构送到各个不同的各个工位。（短机械手，易操作） 4、Kaufman离子枪 4.1 辅助沉积枪：Φ30mm ①引出栅直径：Φ30mm； ②离子束能量：0.4~1.5Kev连续可调； ③离子流密度：1~3mA/cm2； ④最大束流：~40mA(短时间可加)； ⑤工作真空度：2×10-2Pa~6×10-2Pa； ⑥工作方式：辅助沉积离子源在溅射室内，对与其呈30度角的转盘上的样片照射以清洗样品表面和增强沉积，提高成膜质量。 ⑦束流电压：0~1100eV连续可调；加速电压：0~400eV连续可调； 4.2离子枪挡板：辅助沉积枪配有挡板。在离子枪的前面安装一挡板,由磁力转轴引入，手动控制。 5、磁控靶的结构和工作方式 在溅射室的底盘上安装五个磁控靶，其中有两个倾斜靶（普通永磁靶），三个垂直靶（参与共溅射的垂直靶为强磁靶，其他两个垂直靶中一个为强磁靶另一个为普通永磁靶），两个倾斜靶与夹在其中间的垂直靶可以共溅射。五个靶均可以做多层膜。五个靶RF﹑DC兼容。靶材直径Ф51mm，靶内水冷。垂直靶与样品之间的距离为40～80mm 连续可调，共溅射靶与样品的距离80-130连续可调（做多层膜时垂直靶距离最小可调置40mm，两个倾斜靶最小距离80mm）。并有调位距离显示。 6、 计算机控制镀膜系统 溅射镀膜时的样品转动过程均采用计算机控制，（计算机由用户提供），即：控制转盘公转，靶挡板的开关。 具有：（1）复位功能（2）确认靶位功能（3）溅射镀膜时间控制（4）转盘回转控制功能。 7. 电源 7.1、加热控温电源，采用日本产温度控制器进行加热控温，一台； 7.2、总控制电源：控制机械泵、电磁阀、上盖电动升降、烘烤照明、水压报警等； 7.3、步进电机控制电源，套，控制水冷加热转盘转动靶挡板。 7.4、计算机及控制软件（计算机由用户提供） 7.5、离子枪电源，一套。 7.6、直流电源 500W，套7.7、射频电源 500W，套 2.7.8、直流偏压电源，-00V 一套8、 气路系统： 采用路MFC质量流量计控制器进气，每一路质量流量计前配有一Dg16手 动截止阀, 磁控室备有混气室。流量范围为100SCCM。9、水流报警系统： 系统配有冷却水循环和制冷系统，用来对分子泵、磁控靶、离子枪等进行冷却，水温不高于20(C。在水路上安装有水流继电器，一旦缺水或水流不足，将进行报警并切断相应电源，以防止损坏设备。 、附件 1、安装台架：整个设备安放在一个用型钢焊接而成的台架上，台架上铺有一碳钢衬板，上面铺一不锈钢