第六章 结型场效应晶体管.pptVIP

6.1 JEFT的概念 6.2 器件的特性 6.3 非理想因素 第六章 结型场效应晶体管 BJT FET 电流控制器件 电压控制器件 双极器件 单极器件 依靠少子工作,噪声大 依靠多子工作,噪声低 输入阻抗低 输入阻抗高,利于直接耦合,输入功耗小 温度稳定性差 温度稳定性好,具有零或负的温度系数 工艺较复杂,集成度低 制造工艺较BJT简单,EMOS有天然的隔离,集成度高 6.1.1 pn JFET的基本结构 6.2 器件的特性 6.2.1 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 内建夹断电压： 夹断电压： 耗尽层宽度： y处电流 均匀分布情况 6.2.3 MESFET基本结构 MESFET工作原理 E型MESFET开启电压 6.3 非理想因素 6.3.1 沟道长度调制效应 其中，沟长调制系数 6.3.2 速度饱和效应 6.3.3 亚阈值电流 亚阈值电流主要是扩散电流 习题 1（a）画出p沟道JFET结构的能带图 （b）定性地讨论I-V特性，包括电流方向以及电压特性 2 考虑一个n沟道JFET，它具有以下参数： Na=3?1018cm-3，Nd=8?1016cm-3，a=0.5?m。 （a）计算内建夹断电压 （b）计算未耗尽沟道宽度为0.20 ?m时所需的栅极电压 3 N沟道硅MESFET的沟道长度是L=2 ?m。假定沟道中水平电场的均值是E=10kV/cm。计算如下情况时电子在沟道中的传输时间： （a）迁移率为常数?n=1000cm2/V?s （b）速度达到饱和