第五章-表面及界面.pptVIP

吸附的应用 (1)作吸附剂 某些物质特有的吸附性能。如：硅胶、活性炭、分子筛吸附剂等。 (2) 进行表面改性 表面改性是指利用表面吸附特性，通过各种表面处理，改变固体表面结构和性质，以适应各种预期的要求。 表面活性物质（表面活性剂）：两个基团（官能团）：一端是亲水的极性基团-OH、-COOH、-SO3Na等；另一端是憎水（亲油）的非极性基团。 憎水基 烃链、碳氢基团 亲水基 羟基、羧基等 CaTiO3 * 74 * 表面改性技术应用： 玻璃钢是玻璃纤维（无机物）与树脂（有机物）复合，必须进行表面改性才能牢固结合。 氧化铝瓷成型时要用石蜡作定型剂，氧化铝粉是亲水的，石蜡是亲油的，生产中一般是加入油酸来使氧化铝表面变成亲油的。 混凝土中加入减水剂可以减少加水量，增加和易性，提高混凝土的力学性能。减水剂是表面活性剂，在水泥颗粒表面定向吸附，使水泥颗粒表面带同种电荷，相互排斥，释放出自由水。 * 74 * §4-3 晶界 晶界特点: (1)质点排列偏离了理想点阵，属于面缺陷。 (2)由于能量高，容易富集杂质，使晶界处熔点低于晶粒。 (3)质点容易迁移，是扩散的快速通道。 (4)晶界是固态相变时的优先成核区域。 (5)晶界结构疏松，容易受腐蚀（热腐蚀、化学腐蚀等）。 晶界：结构相同而取向不同的两个晶粒之间的界面。 两个取向不同的晶粒表面都有剩余键力，都要拉界面处质点按自己的排列取向进行排列。这样就使界面处质点排列处于一种过渡状态，偏离了理想点阵。 * 74 * 一、晶界的结构与分类 1. 按取向不同的两晶粒间的夹角分： 小角度晶界：2～3° 结构可用刃型位错模型表示 大角度晶界：倾斜角较大，晶界处质点排列无序 结构可用过冷液体模型表示 晶界结构对多晶材料性能（声、光、电、热、磁）和材料的扩散、烧结等过程有明显的影响。 * 74 * 2. 按晶界两侧原子排列的连贯性分： 共格晶界 半共格晶界 非共格晶界 ① 共格晶界：界面两侧的晶体具有相似的结构和类似的取向，越过界面的原子面是连续的，界面的原子为两侧晶体所共用，这种晶界为共格晶界。 理想共格晶界 * 74 * 由于两晶面的晶面间距不同，为保持晶面连续，必然产生弹性应变。失配度是产生弹性应变的量度，用δ表示： δ＝(Ｃ１―Ｃ２)／Ｃ１ 式中Ｃ１和Ｃ２分别为两晶面的晶面间距。 具有应变的共格晶界 Ｃ１和Ｃ２相差愈大，δ愈大，弹性应变能愈大。弹性应变能大到一定程度，将通过引入位错（半个原子面）降低能量，即形成半共格晶界。 * 74 * ② 半共格晶界：界面上分布着若干个位错及相当于小角度晶界的相界面。 图中： ⅰ）失配度增大，弹性应变能增大，系统能量与cδ2成正比； ⅱ）共格晶界在E点以后能量高于半共格晶界。 * 74 * 当δ=0.04时，d=25C2，每25个晶面要插入１个附加的半晶面；δ=0.1时，d=10C2, 每10个晶面要插入1个附加的半晶面。失配度δ愈大，间距d 愈小，失配度太大，插入间距太密，成为非共格晶界。 ③ 非共格晶界：界面上原子排列完全无序（不吻合），有很多缺陷分布在界面上。 通过烧结得到的多晶体，绝大多数为这类晶界。（P122，图4-18） d = C2/δ （C2—被插入者的晶面间距） 形成半共格晶界时插入的位错数量是有限的，位错间距 ： * 74 * 晶界处的晶界能：界面上原子比内部相同原子能量高，但低于两个相邻的晶粒表面能之和。 由于杂质原子（离子）容易在晶界上聚集，晶界能的大小是可以变化的。晶体内的杂质原子周围形成很大的弹性应力场，化学势较高；晶界处结构疏松，应变场较弱，化学势较低，因此，当温度升高时，杂质原子的迁移率增加，