剖析04 场效应管.pptVIP

场效应管放大电路 场效应管 2.工作原理 ①栅源电压VGS对iD的控制作用 ②漏源电压VDS对iD的影响 JFET工作原理（动画2-9) (3)伏安特性曲线 可变电阻区 夹断区 ②转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 金属-氧化物-半导体场效应管 N沟道增强型场效应管的工作原理 1 . 栅源电压VGS的控制作用 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS (2) 场效应三极管的型号 几种常用场效应三极管的主要参数 双极型三极管与场效应三极管的比较 场效应管放大电路 分压式自偏压电路 小信号分析法 (2)交流分析 小信号等效电路 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 * 结型场效应管 场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。 按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。 1.结构 N 沟道 PN结 N沟道场效应管工作