黄绿光磷化铝镓铟(AlGaInP)光学特性之研究-郭艳光.DOC

光電子學期末報告 黃綠光磷化鋁鎵銦光學特性之研究 教師：郭艷光 教授 系級：物理研究所二年級 學號：8822203 學生：黃雅蓮 大綱 1. 磷化鋁鎵銦材料介紹 2. 黃綠光的優點及應用 3. 磷化鋁鎵銦材料如何發出黃綠光 4. 黃綠光磷化鋁鎵銦發光二極體 5. 面射型雷射的優點及應用 6. 黃綠光磷化鋁鎵銦面射型雷射之DBR反射層 7. 參考文獻 1. 磷化鋁鎵銦材料介紹 磷化鋁鎵銦(AlGaInP)材料，就其元素來看(見表01.)，是一個第五族的元素，加上三個第三族的元素，所共同組合而成的四元化合物；其材料的性質會隨元素所佔的比例不同而有所不同，一般我們為了清楚表示這種材料，所以給予一個通式：(AlxGa(1-x))yIn(1-y)P，其中[x×y]表示鋁在第三族元素中所佔的比例，[(1-x)×y]為鎵所佔的比例，而[1-y]則是銦所佔的比例，三者加起來為1。以下就元素比例對材料特性的關係加以討論及說明。 表01. 元素週期表。 1.1 基板 擁有合適的基板，是長出高品質光學元件的主要原因之一；所以當我們想擁有高品質的磷化鋁鎵銦光學元件，首先必須先找到晶格能和磷化物匹配，且最好是能導電的基板。由表02.中，我們可以看的出來，砷化鎵的晶格常數介於磷化銦、磷化鎵及磷化鋁間，且當摻雜為1×1018(cm-3)時，電阻率僅為7.02×10-4 ((-cm) [1](半導體一般定義電阻率於10-2-109 (-cm間，以下為導體，以上為絕緣體[2])；因此，砷化鎵對磷化鋁鎵銦材料而言，是相當合適且難得的好基板。目前一般的磷化鋁鎵銦光學元件，不論波長為何，幾乎都是使用砷化鎵為基板，如短波長的可見光雷射[3]，及600nm[4]、610nm[5]、630nm[6]、680nm[7]的雷射二極體，或發黃綠光的發光二極體[8]、650nm的發光二極體[9] 等。 成分 300K時的晶格常數 975K時的晶格常數 GaAs 56.533 nm 56.795 nm InP 58.686 nm 58.874 nm GaP 54.512 nm 54.729 nm AlP 54.511 nm 54.677 nm 表02. 在室溫(300K)及長晶溫度(975K)下的晶格常數。[10] 另外，由表02.中，我們也可以發現磷化鎵的晶格常數，和磷化鋁的晶格常數幾乎相等，這就表示，在磷化鋁鎵銦材料中的鋁鎵比例，並不太會影響整體的晶格常數，所以當我們想要來探討整體的晶格常數時，只需考慮鋁銦比或鎵銦比便可。由圖01.的(a)及(b)中，我們可以清楚的看到磷化鎵銦中鎵的比例，和磷化鋁銦中鋁的比例，對晶格常數的影響；為了使在室溫及長晶溫度下皆能接近於砷化鎵基板的晶格常數，所以一般我們多半取銦的成分比例為50％，也就是我們常見的表示式：(AlxGa(1-x))0.5In0.5P。 圖01. (a)磷化鎵銦中鎵的比例(b)磷化鋁銦中鋁的比例，對晶格常數的影響。[10] 1.2 能隙 磷化鋁鎵銦是由『磷化鋁』、『磷化鎵』、『磷化銦』三者，依照不同的比例所組合而成的，所以磷化鋁鎵銦的能隙，也和這三者的能隙有相當大的關係。表03.為過去部分文獻中的能隙大小，雖不盡相同但都相差無幾。 材料 能隙(eV)-300K 能隙(eV)-0K AlP 2.45[1] (i) 2.50[11] (i) ~ ~ ~ GaP 2.26[1] (i) 2.26[11] (i) 2.25[12] (i) 2.32[11] 2.32[12] InP 1.35[1] (d) 1.35[11] (d) 1.27[12] (d) 1.42[11] 1.42[12] 表03. 磷化鋁、磷化鎵、磷化銦三者在室溫(300K)及絕對零度(0K)下的能隙大小。(i)表示為間接能隙，(d)表示為直接能隙。 由表03.知磷化鋁和磷化鎵是間接能隙，磷化銦是直接能隙，且磷化鋁銦(Al0.5In0.5P)是間接能隙，磷化鎵銦(Ga0.5In0.5P)是直接能隙[10]；所以我們便可以推論，當(AlxGa(1-x))0.5In0.5P中鋁的成分增加到某一定程度時，能隙會由直接轉變成間接。而此四元化合物(AlxGa(1-x))0.5In0.5P的能隙大小，在各文獻中，依舊不盡相同，以下列出幾種不同的表示式，能量的單位皆為eV： 【1】[10] E((x) = 1.91+0.61x , EX(x) = 2.19+0.085x 轉變點：x=0.53 【2】[13] E((x) = 1.89+0.67x 【3】[14] E((x) = 1.985+1.22x , EX(x) = 2.282+0.17x 轉變點：x=0.56 【4】[15] 轉變點：x=0.63 【5】模擬軟體PIC