半导体器件物理16.ppt

* 第四章 结型场效应晶体管和金属－半导体场效应晶体管 结型场效应晶体管又称 PN 结场效应晶体管，通常用其英文缩写词 JFET（Junction Field Effect Transistor）表示。 金属－半导体场效应晶体管又称肖特基势垒栅场效应晶体管，通常用其英文缩写词MESFET（Metal Semiconductor Field Effect Transistor）表示。 目前 JFET 和 MESFET 在微波、高速、高功率应用领域占据着重要的地位。 § 4.1 JFET 和 MESFET 的结构和工作原理 （1）JFET 的基本结构 1．JFET 和 MESFET 的结构 上图为 N 沟道 JFET 的结构示意图。在 N 型半导体的上下两侧各有一个高掺杂的 区，形成上下两个 结，通常称之为栅结。N 区两端各做欧姆接触，从其上引出的电极分别称为源极（S）和漏极（D）。上下 区表面也做欧姆接触，引出的电极称为栅极（G），大多数 JFET 的上下栅极是连在一起的，因此，JFET 实际上只有三个引出端。其中 N 区为电导沟道。 JFET 的结构参数主要有：沟道长度 、沟道宽度 、沟道厚度 等；工艺参数主要有 N 型沟道区和 型栅极区的掺杂浓度 和 。 （2）MESFET 的基本结构 与 JFET 结构类似，MESFET 也有源极（S）、栅极（G）、漏极（D）三个引出端，主要区别是栅结不同。JFET 的栅结为 PN 结；而 MESFET 的栅结为金属－半导体接触形成的肖特基势垒（或称肖特基结）。目前，半导体材料多选用 GaAs。在半绝缘 GaAs 衬底上外延生长一层 N 型 GaAs，然后用蒸发方法一次完成源、漏的欧姆接触和栅肖特基势垒。 2．JFET 的工作过程 （a） （b） 时工作过程 （c）漏极电流－电压特性 为了简化说明 JFET 的工作过程，把源极和栅极接地，使漏极电压置于 ，栅端 PN 结为反向偏压。忽略源和漏的接触电阻和它们下方的体电阻。在这些条件下，在 处，栅 PN 结两边电压为零，但在 处，整个电压 都加在 PN 结上。当电流（称为漏极电流或漏电流）从漏极沿沟道流向源极时，由于沟道电阻的存在，从漏极端到源极端沿着整个沟道会产生电位降，即从 处的 下降到 处的零电位。结果是，在漏的一端空间电荷区向沟道内扩展得更深些，如图（a）所示。 当 增加时，沟道的狭口变得更窄，沟道电阻进一步增大。随着漏端电压进一步增大，则将会达到如图（b）所示的情况：在 处，空间电荷区连通，且连通区域内的自由载流子全部耗尽，这种现象叫做沟道夹断。沟道夹断时的漏电压称为饱和漏电压，用 表示。 夹断后再增加漏电压，夹断点将向源端移动，但由于夹断点电位保持为 ，所以漏电流将不会显著增加，因而电流处于饱和而沟道电阻变得很大。 漏电流用 表示，饱和漏电流用 表示。漏相对地的电流－电压特性如上图（c）所示，其中 称为夹断电压。 3．JFET 和 MESFET 的分类 无论是 JFET 还是 MESFET，按导电的沟道可分为 N 沟道和 P 沟道型。按零栅压（ ）时器件的工作状态分为增强型（常关型）和耗尽型（常开型）。增强型指栅偏压为零时，沟道是夹断的，只有外加正向偏压时，才能开始导电。耗尽型指栅偏压为零时，沟道是导通的，而欲使沟道夹断，必须给 PN 结施加反向偏压。 因此 JFET 和 MESFET 均有 4 种类型：N 沟耗尽型、N 沟增强型、P 沟耗尽型和 P 沟增强型。 （1）N 沟耗尽型 JFET N 沟耗尽型的导电沟道为 N 型，栅极区为 层。当 时，已存在导电沟道，沟道电阻小，一旦在漏、源极之间加上电压，就有很大的电流 流过沟道；只有当栅压为负，且高到一定程度时，漏极电流 才截止（所以其夹断电压为负值）。 （2）N 沟增强型 JFET N 沟增强型与 N 沟耗尽型 JFET 的结构基本类似。当 时，整个沟道已被栅结空间电荷所占满，全沟道夹断，沟道电阻很大，因此即使在漏、源极之间加上电压，沟道电流 也接近于零（即 N 沟增强型 JFET 为常关型器件）。只有当正栅压（ ）高到一定程度时，漏极电流 才开始显著增加，所以其阈值电压是正值。 *