半导体薄膜技术与物理 第五章.ppt

过饱和度以熔体饱和温度与生长温度差的形式给出，因为在这个温度范围内，硅在锡中的溶解度与温度成线性关系。因此，温度差直接表示过饱和度。 外延层厚度的增加与生长时间平方根成正比，与过饱和度成正比。 * * 第五章 硅液相外延 液相外延（Liquid Phase Epitaxy，LPE） 从过冷饱和溶液中析出固相物质并沉积在单晶衬底上生成单晶薄膜 1963年，尼尔松发明，用于外延GaAs 物理理论基础：假设溶质在液态溶剂内的溶解度随温度的降低而减少，那么当溶液饱和后再被冷却时，溶质会析出。若有衬底与饱和溶液接触，那么溶质在适当条件下可外延生长在衬底上。 生长0.1~几?m的薄外延层。 可生长组分均匀的厚外延层。 优 点 厚度比稳态法的要均匀得多 每次开始操作前不让衬底与溶液接触。 瞬态 厚度不均匀 利用衬底（低温）与源片（高温）之间溶液的温度差造成的温度梯度实现溶质的外延生长。 稳态 （温度梯度外延生长） 缺 点 特 点 生长方式 瞬态LPE，溶液冷却方法： 平衡法、分步冷却法（突冷法）、过冷法、两相法 5.1 液相外延生长的原理 溶于熔体中的硅淀积在硅单晶衬底上，并形成单晶薄膜。 实现淀积：在生长过程中溶于熔体中的硅是过饱和的。 熔体，也称熔剂，不是水、酒精等液体，而是低熔点金属的熔体，在这里，硅外延用的熔体是锡，也可用镓、铝。 硅在熔体中的溶解度随温度变化而变化。 在以锡溶剂中，硅的溶解度随温度降低而减少。 硅液相外延生长： 通过降低熔体温度进行（过冷生长），（逐步过冷，冷却速率?℃/min） 熔体饱和后降低温度，使熔体呈过饱和，然后维持恒定温度进行生长（等温生长） 溶液生长晶体的过程，可分为以下步骤： 熔硅原子从熔体内以扩散、对流和强迫对流方式进行输运。 通过边界层的体扩散。 晶体表面吸附。 从表面扩散到台阶。 台阶吸附。 沿台阶扩散。 在台阶的扭折处结合入晶体。 质量输运过程 (冷却速率相关) 受表面动力学支配 A 质量输运控制 表面动力学过程快于质量输运过程，生长速率将由质量输运控制。通常液相外延生长都是在这种条件下进行的。 B 表面动力学控制 质量输运速率过程快于表面动力学过程，生长速率受表面动力学限制。 一、过冷生长动力学（逐步冷却，冷却速率恒定） 选择5种冷却速率： 0.2℃/min, 0.5℃/min, 0.75℃/min, 2.5℃/min, 7℃/min 0.2℃/min 0.5℃/min 0.75℃/min 2.5℃/min 7℃/min 对应每一冷却速率， 可得到一固定的生长速率。 生长速率随冷却速率增加而增加。 由什么限制？ 冷却速率↑， 而生长速率不再增加？ 由什么限制？ 图5-1 外延层厚度与(a)生长时间和(b)过冷度的关系 ●0.2℃/min, ▲0.5℃/min, ■0.75℃/min, ○2.5℃/min, △7.0℃/min 较高冷却速率，所有点都落在一条直线上。 较低冷却速率生长，外延层厚度与过冷度成线性。（质量输运限制） 所有冷却速率，外延层厚度与生长时间成正比。 由质量输运限制的生长速率?（存在边界层，溶质线性梯度分布） （在低冷却速率的情况下） D：溶质有效分凝系数，?：过饱和度，?：平衡溶质浓度，?:晶体密度，? ：边界层厚度。 如果溶质溶解度随湿度线性变化（800-950℃），同时，冷却速率为常数C。 可以这样认为： ?? = KC 其中K是比例常数，与冷却速率大小有关，那么生长速率： 薄膜厚度（Thickness） 可以看出：膜厚最终取决于过冷度，与冷却速度无关。 在较低的冷却速率下，表面动力学过程比质量输运过程快，生长速率受质量输运限制。 生长速率为质量输运限制，冷却速率增大，C↑→?↑ 生长速率为表面动力学限制（大冷却速率），?与C无关。 图5-2 生长速率随冷却速率的变化关系 冷却速率上升，生长速率趋于饱和。 在过冷生长条件下获得外延层的形态: (表面质量) 1）低冷却速率0.2℃/min，表面平整。 2）冷却速率↗0.5℃/min，有锡的类杂，组分过冷。 3）冷却速率↗↗7℃/min，表面形态强烈依赖下表面晶向。 二、等温生长动力学 在熔体过饱和时才能进行外延生长。