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例 如图所示平面在沿着三个坐标轴的方向有三个截距a、3a、2a，其的倒数分别为1/a、1/3a和1/2a。它们的最简单整数比为6:2:3(每个分数乘6a所得)。因此这个平面可以表示为(623)平面。 a 3a 2a z y x 作业1：p45, 第三题 * 4.分子动力学理论 P：压强， V：体积， n：摩尔数，R：普适气体常数，T：温度 每个分子的平均动能KE与温度T成正比 k=R/NA，波尔茨曼常数 热容量 当对气体进行加热时，内能和温度都会上升 内能随单位温度的增量 ? 热容量 1 mol 气体的热容量 ? 摩尔热容量Cm 1 mol 单原子气体的总内能： ? 麦克斯韦能量均分定理 系统总能量的每一个能量独立项具有1/2 KT的能量，每个能量独立项称为1个自由度 单原子气体分子只有平均动能，即 x, y, z 3个方向上独立的动能，也即3个自由度 ? E=3KT/2, Cm=3R/2 麦克斯韦能量均分定理 系统总能量的每一个能量独立项具有1/2 KT的能量，每个能量独立项称为1个自由度 刚性双原子气体分子（如O2分子）3个平动自由度＋2个转动自由度 ? E=5KT/2, Cm=5R/2 麦克斯韦能量均分定理 系统总能量的每一个能量独立项具有1/2 KT的能量，每个能量独立项称为1个自由度 固体，可类似成“弹簧”连接，3个动能自由度＋3个势能由度 ? E=3KT, Cm=3R 在固体力学中，这一结论也称为 杜隆－珀替定则 热膨胀 本质上是由于势能曲线的不对称引起的！ 温度上升至T1时，原子振动将拉伸（C）或压缩（B），平衡位置变为A 温度上升至T2时，原子振动将拉伸（C’）或压缩（B’），平衡位置变为A’ 热膨胀 定义线性热膨胀系数： 大部分金属材料的 线性热膨胀系数随温 度变化不大，工程上 可取固定值。 5.分子速率与能量分布 N2在两个不同温度下分子速率的分布：麦克斯韦—波尔茨曼分布 两个不同温度下，容器中气体分子的能量分布，阴影面积表示能量大于EA的分子数，该面积与温度成指数关系exp(-EA/KT) nE：单位能量范围内的分子数 N：系统中总的分子数 E：总能量（动能＋势能） C：与系统相关的常数 波尔茨曼能量分布： 6.热激活过程 ［类比］搬文件柜 A ? A* ? B 势能先升高后降低 需先做功，克服一定的势垒 固体中杂质的运动 A ? A* ? B 也需克服一定的势垒 杂质原子从A跃迁到B的跃迁率，即扩散，与温度有关（波尔茨曼分布） 原子扩散与扩散系数 杂质原子具有四个扩散方向； 经过N次扩散，O ? O’ 扩散系数： 均方根位移： 为跃迁频率（次／s） a 为原子间距 例1-2 7.半导体材料 固态材料按导电性可分为三类，即绝缘体、半导体及导体。 绝缘体: 电导率很低，约介于20-18S/cm～10-8S/cm,如熔融石英及玻璃； 导 体：电导率较高，介于104S/cm～106/cm，如铝、银等金属。 半导体：电导率则介于绝缘体及导体之间。 半导体材料 半导体的特点：易受温度、光照、磁场及微量杂质原子等的影响。 正是半导体的这种对电导率的高灵敏度特性使半导体成为各种电子应用中最重要的材料之一。 半导体材料的类型： 元素半导体：硅(Si)、锗(Ge) 化合物半导体：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、砷化铟（InAs）等 硅、锗都是由单一原子所组成的元素半导体，均为周期表第IV族元素。 20世纪50年代初期，锗曾是最主要的半导体材料； 60年代初期以后，硅已取代锗成为半导体制造的主要材料。 硅的优势：硅器件在室温下有较佳的特性；高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生，成本低；硅含量占地表的25%，仅次于氧，储量丰富。 元素(elements)半导体 类别： 二元化合物半导体：由两种元素组成。 三元化合物半导体：由三种元素组成。 多元化合物半导体：由三种及以上元素组成。 二元化合物半导体： IV－IV族元素化合物半导体：碳化硅（SiC）； III-V族：砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等； II-VI族：氧化锌（ZnO）、硫化锌（ZnS）、碲化镉（CdTe）等； IV-VI族：硫化铅（PbS）、硒化铅（PbSe）、碲化铅（PbTe）等 化合物(compound)半导体材料 三元化合物与多元化合物半导体： 由III族元素铝(Al)、镓(Ga)及V族元素砷(As)所组成的合金半导体AlxGax-1As即是一种三元化合物半导体， 具有AxB1-xCyD1-y形式的四元化合物半导体锗可由许多二元及三元化合物半导体组成。例如，合金半导体GaxIn1-xAsyP1-y是由磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)