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未来cpu的制作工艺
CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能,那么更高的频率、更先进的核心以及更优秀的缓存架构都是不可或缺的,而此时自然也需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力,无论是Intel还是AMD,制作工艺都是发展蓝图中的重中之重。要讨论未来CPU的制作工艺,就必须对现有工艺有所了解,才能在此基础上对未来的制作工艺做出合理的猜想。 1.制作工艺的重要性 早期的微处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的,随着CPU频率的增加,原有的工艺已无法满足产品的要求,这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺,不久以后,0.18微米、0.13微米以及90纳米制造的处理器产品也相继面世。另外一方面,早期芯片内部都是使用铝作为导体,但是由于芯片速度的提高,芯片面积的缩小,铝线已经接近其物理性能极限,所以芯片制造厂商必须找出更好的能够代替铝导线的新的技术,这便是我们常说的铜导技术。铜导线与铝导线相比,有很大的优势,具体表现在其导电性要优于铝,而且电阻小,所以发热量也要小于现在所使用的铝,从而可以有效地提高芯片的稳定性。 首次采用0.35微米工艺的Pentium让人记忆犹新 光刻蚀是目前CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,其过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜,刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程,设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量,而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步。制作工艺对于光刻蚀的影响十分巨大,这也就是CPU制造商疯狂追求制作工艺的最终原因。 我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线,实际上指的是一种工艺尺寸,代表在一块硅晶圆片上集成所数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说,也就是指芯片上最基本功能单元门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例,此时门电路间的连线宽度为90纳米。我们知道,1微米相当于1/60头发丝大小,经过计算我们可以算出,0.045微米(45纳米)相当于1/1333头发丝大小。可别小看这1/1333头发丝大小,这微小的连线宽度决定了CPU的实际性能,CPU生产厂商为此不遗余力地减小晶体管间的连线宽度,以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。采用45纳米制造工艺之后,与65纳米工艺相比,绝对不是简单地令连线宽度减少了20纳米,而是芯片制造工艺上的一个质的飞跃。 2.光刻蚀与45纳米制作工艺 3.第三代单轴应变硅隧道 Intel在启用45纳米制作工艺时还引入了极为重要的改进型SOI变形硅技术,也就是第三代单轴应变硅隧道,这对于更好地改善电气性能有着极大的帮助。CPU所集成的晶体管是一个小开关,决定了电流的通与断,而在现实世界中,我们无法完全地控制电流,必须借助一些附加技术。SOI(Silicon-on-insulator,绝缘体硅片)就是为了防止泄漏电流和停止电流活动而设计的,变形硅则刚好相反,是为了驱动电流流动而设计的。事实上,SOI 与变形硅技术总是需要同时使用。 第三代单轴应变硅隧道将待变形硅片放在一种特殊的硅锗底基上,这种硅锗底基的原子间距离比待变形硅片原子间距离大,受底基原子作用,硅片中的原子也将向外运动,彼此间拉开距离,从而减少对电流的阻力。SOI变形硅有效地扩展了晶体管通道区域,把硅直接放到底层的顶部,可以预留更多的空间,更好地扩展到底层上,使上面的硅原子直接和低层相匹配,延伸硅元素到合适的通道中。硅原子有更多的空间后,电阻减少了,增加了电流通过的数量。最终结果是使电流流动强度提高了10~15%,或者使当前的电流更加顺畅,从而提高了晶体管的运行速度,提高了芯片的工作频率。 Intel展示45纳米工艺的晶元 制作工艺对于CPU微处理器的重要性不言而喻,无论是提高主频还是集成更多的缓存又或是改进新的核心,这些都需要更为强大的制作工艺作为支撑。一代又一代的微处理器发展史几乎可以看作是制作工艺的发展史。进入90纳米时代之后,业界一度停止发展的脚步,其中晶体管漏电便是主要原因之一。如果无法彻底解决这一问题,那么今后微处理器的发展之路将会布满荆棘。 晶体管连线宽度在90纳米后出现危机。 我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线,实际上指的是一种工艺尺寸,代表在一块硅晶圆片上集成所数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说,也就是指芯片上最基本功能单元门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例,此时门电路间的连线
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