点缺陷3.2-.pptVIP

基本规律： 低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生负离子空位或间隙正离子。 高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生正离子空位或间隙负离子。 例3· MgO形成肖特基缺陷 MgO形成肖特基缺陷时，晶体内部的Mg2+和O2-离子迁移到表面新位置上，在晶体内部留下空位: MgMg 表面+OO 表面? MgMg 新表面+OO 新表面+ 以零O（naught）代表无缺陷状态，则： O? （2）热缺陷反应方程式 例4· AgBr形成弗仑克尔缺陷 其中半径小的Ag+离子进入晶格间隙，在其格点上留下空位，方程式为： AgAg? 当晶体中剩余空隙比较小，如NaCl型结构，容易形成肖特基缺陷； 当晶体中剩余空隙比较大时，如萤石CaF2型结构等，容易产生弗仑克尔缺陷。 一般规律： 三、热缺陷浓度的计算 在一定温度下，热缺陷是处在不断地产生和消失的过程中，当单位时间产生和复合而消失的数目相等时，系统达到平衡，热缺陷的数目保持不变。 根据质量作用定律，可以利用自由能最小原理和化学平衡方法计算热缺陷的浓度。 化学平衡方法计算热缺陷浓度 （1）MX2型晶体肖特基缺陷浓度的计算 CaF2晶体形成肖特基缺陷反应方程式为： 动态平衡 ?G=－RTlnK K=exp（-△Gf/kT） 又[O]=1， 则 若为0=Vo+VMg 则浓度为exp （2）弗仑克尔缺陷浓度的计算 AgBr晶体形成弗仑克尔缺陷的反应方程式为： AgAg? 平衡常数K为：K=exp 式中 [AgAg]?1。 又?G=－RTlnK ,则 式中 ?G为形成1摩尔弗仑克尔缺陷的自由焓变化。 四、热缺陷在外力作用下的运动 由于热缺陷的产生与复合始终处于动态平衡，即缺陷始终处在运动变化之中,缺陷的相互作用与运动是材料中的动力学过程得以进行的物理基础。无外场作用时，缺陷的迁移运动完全无序。在外场（可以是力场、电场、浓度场等）作用下，缺陷可以定向迁移，从而实现材料中的各种传输过程（离子导电、传质等）及高温动力学过程（扩散、烧结等）能够进行。 第三章 晶体的结构缺陷 按缺陷的几何形态分类 根据对理想晶体偏离的几何位置来分，有三类 空 位 填 隙 原 子 杂 质 原 子 正常结点位置没有被质点占据，称为空位。 质点进入间隙位置成为填隙原子。 杂质原子进入晶格（结晶过程中混入或加入，一般不大于1％，）。 进入 间隙位置—间隙杂质原子 正常结点—取代（置换）杂质原子。 固溶体 3 -extra atoms positioned between atomic sites. ? 空位: ? 填隙原子: 杂质原子/离子 填隙杂质原子 置换杂质原子 1、热缺陷：当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶格内原子热运动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷。 （1） Frankel缺陷 例 : 纤锌矿结构ZnO晶体，Zn2+ 可以离开原位进入间隙， 此间隙为结构中的另一半“四孔”和“八孔”位置。 从能量角度分析： 下 Frankel缺陷的产生 上 Frenkel缺陷 由于晶格上原子的热振动，一部分能量较大的原子离开正常位置，进入间隙变成填隙原子，并在原来的位置留下一个空位。 Frenkel缺陷特点 空位、填隙原子成对出现，两者数量相等； 晶体的体积不发生改变； 间隙——六方、面心立方密堆中的四面体和八面体空隙; 一般情况下，离子晶体中阳离子比阴离子小，即正负离子半径相差大时，易形成Frenkel缺陷。 正常格点上的原子迁移到表面，从而在晶体内部留下空位。 原子 表面 空位 内部 增加了表面，内部留下空位 （2） Schttky缺陷 正常格点的原子由于热运动跃迁到晶体表面，在晶体内正常格点留下空位。 Schttky缺陷形成的能量小Frankel 缺陷形成的能量因此对于大多数晶体来说，Schttky 缺陷是主要的。 形成——