电子技术基础-第8章_电力电子学基础.ppt

第8章 电力电子学基础 8.1 晶闸管(可控硅) 8.2 可控整流电路 2、电感性负载 8.2.2、单相半控桥式整流电路 例8.2.1:电 路如图 1 所示，交流电压的波形如图 所示 ，画出当控制角?= 90? 时，负载电阻两端电压的波形。 8.3 晶闸管触发电路 2、单结晶体管驰张振荡器 脉冲波形： 周期性尖脉冲 脉冲电压频率：调节Rp (充电) 脉冲电压宽度：?=R1C (放电) 温度补偿电阻：R2 3、单结晶体管触发电路 控制角? ：由移相电位器Rp控制 Rp?——??，?? 由UG第一个尖脉冲决定 稳压管：为单结驰张振荡的电源消波作用—每半周第一 个脉冲的时间不受 电源电压波动的影响 同步变压器：保证每半周第一个脉冲的时间保持不变 1、双向触发二极管触发电路 8.4 晶闸管逆变电路 1. 初始状态：T1,T2截止, Uc=0 2. 触发T1通?N1,N2感应电动势E ?电容充电Uc=2E ?? N3感应电动势 E3=EN3/N1 ?产生电流IL 3. 触发T2通?电容电压反向加到 T1 ? T1止 ?电容反向充电 ? N1,N2感应电动势 - E ? N3电动势 - E3 ?电流 - IL 4. 直流变为交流：交替触发T1,T2 5. 交流变频：调节触发脉冲的频率 2、有源逆变 有源逆变条件： 外接电源EM ? 输出电压平均值Uo, 变流器控制角?=90? - 180 ?, 使Uo?0 8.5 功率(电力)半导体器件 8.5.1 电力电子器件 4.典型全控型器件 (3) 电力场效应晶体管(MOSFET) (4) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8.5.2 电力电子器件驱动电路 2. 典型全控型器件的驱动电路 Chap 第8章电力电子学基础 成都理工大学工程技术学院 自动化工程系 雷永锋 2013 8.1 晶闸管(可控硅) 8.2 可控整流电路 8.3 晶闸管触发电路 8.4 晶闸管逆变电路 8.5 功率(电力)半导体器件 电力电子学：介于电力, 电子, 控制之间的边缘学科 8.1.1 晶闸管的基本结构和工作原理 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一起种大功率半导体器件。它具有三个PN结和四层半导体结构，由四层半导体的两端及中间层各引出阳极A、阴极K和控极G。 螺栓式晶闸管, 平板式的晶闸管 导通条件： UAK ? 0 VG ? 0 (导通后可去掉) 晶闸管是一个可控的单向导电开关 与二极管比: 正向导电受控制极电流的控制 与三极管比: 阳极电流与控制极不成比例关系 晶体管T2处于正向偏置，控制极与阴极间的电压产生控制极电流IG, 就是T2的基极电流IB2，经过T2管的电流放大作用，T2的集电极电流， 而IC2又是T1的基极电流，经过T1管的电流放大作用，T1的集电极电流 ，该电流又流入T2的基极再一次放大。这样，形成了强烈的电流正反馈，使T1、T2迅速饱和导通， 控制极未加正向电压时 导通时的特性 控制极加正向电压时 没有导通时的特性 + _ + _ 8.1.2 晶闸管的伏安特性 （1）当控制极UG=0，IG=0时，阳极和阴极之间加正向电压，此时晶闸管的三个PN结因有一个PN结处于反向偏置，其中只有很小的电流流过，这个电流称为正向漏电流，处于截止状态。 （2）当阳极正向电压U增加到某一数值时，正向漏电流突然增大，晶闸管不需触发电流就迅速从阻断状态变为导通状态。此时的阳极电压称为正向转折电压UBO。这种使晶闸管容易造成正向击穿，而使该元件损坏，不允许这种导通方式。 (3）当控制极和阴极之间加上正向UG时，有控制电流通过，若此时在阳极加正向电压，晶闸管就会在低于正向转折电压UBO的某个值，由阻断状态转入导通状态。 晶闸管导通后，通过很大的电流，这时管压降很小，只有1V左右，因此特性曲线靠近纵轴且陡直，与二极管的正向特性相似。在晶闸管导通后，若减小正向电压，正向电流就逐渐减少。当电流减小到某一数值时，晶闸管从导通状态转变为阻断状态，此时所对应的最小电流称为维持电流IH。 （4）当晶闸管阳极加反向电压，其反向特性亦与一般二极管相似，只有很小的反向