电子技术课件第一章.ppt

光电耦合电路 UO +5V U R1 R2 R3 T * * * * * ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例3： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 动画 第三节 特殊二极管 符号 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，由于它与适当阻值的电阻配合后能起稳压作用，故称稳压二极管。 稳压二极管工作于反向击穿状态，当反向电压撤去后，管子还是正常的，称可逆性击穿。 + — 一、稳压二极管 A K 1、稳压作用 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 U I O 2、 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (4) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (2) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 3、稳压电路 UI=UR+UO=UR+UZ=IRR+UZ 若UI增加，则UO有增加的趋势，即UZ会增加，IZ会大大增加，使IRR大大增加，则限制了UO的增加，维持不变，反之亦然。 UO UI IZ R DZ UZ IR 若负载增加，其稳压原理一样。 例：右图所示电路，UZ=8V，IZM=18mA，US=20V， 问R=500Ω是否合适，应为多少？ 解：I= =24mA＞18mA 不适合。 R≥ =667Ω R US-UZ = 20-8 500 20-8 18 US=20V R UZ=8V 二、光电二极管 光电二极管是利用PN结的光敏特性，将接收到的光的变化转变为电流的变化。 当光照射二极管的PN结时，将成对的产生自由电子和空穴，使少子浓度提高，使反向电流增加，光的变化转变为电流的变化。 工作时加反向电压，反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 光电二极管 三、发光二极管 发光二极管是将电能转换为光能的半导体器件，简称LED。 符号 当发光二极管正向偏置有电流通过时，由于电子与空穴复合而释放能量，从而发出不同颜色的光。 三、发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA。 所发出光的颜色由半导体中所掺杂质决定，常见的红、黄、绿色掺入了磷砷化镓和磷化镓。 第四节 晶体管 晶体管又称半导体三极管，是一种重要的半导体器件。它的放大作用和开关作用引起了电子技术的飞跃发展。 一、基本结构 晶体管的结构，目前常见的有平面型和合金型两类。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 而从制造型号上，常分为NPN型和PNP型。 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 这是晶体管具有电流放大作用的内部条件。 二、电流放大作用 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001