一种全靶腐蚀磁控溅射真空镀膜设备.pptVIP

* 一种全靶腐蚀磁控溅射设备(1) 　　传统的磁控溅射设备由于等离子体在靶面形成跑道效应, 所以存在着靶材利用率低, 反应溅射过程中稳定性差的问题。M.J. Thwaites 提出了一种利用磁场将等离子体产生与溅射分开的结构, 本文基于 这种结构构造了一个实验平台对其进行了研究, 实现了全靶腐蚀, 提高了系统的稳定性。 　　磁控溅射技术有着很广泛的用途, 在这些应用中, 由于传统的磁控溅射技术存在着一些固有的不足, 最显著的问题是等离子体在靶面形成跑道, 所以存在着靶材利 用率低, 反应过程尤其是在进行反应溅射过程中很不稳定。要从根本上解决上述的问题则必须使等离子体能够在靶面形成靶面全腐蚀。 ，真空镀膜设备/, 编acdb， 通常有两种方法达到靶面全腐蚀的目的： (a)将靶设计成闭合等离子体跑道的形状, 如圆锥形等离子体磁控管;(b) 扫描产生 闭合磁控管放电的磁铁, 如全腐蚀矩形靶和圆柱形平面式磁控溅射靶。 　　此外, 还有一种与常规的磁控溅射有很大区别的思路 , 就是将等离子体的产生与靶材的溅射过程分开。1989 年Gregor Campbell 就提出了这种结构。它的离子源部 分采用的是螺旋波的天线结构, 尽管等离子体的离化率很高, 但是结构复杂。2000 年M.J. Thwaites 采用了一 种更为简单的天线结构来开发设备, 该设备具有溅射中溅射电流出现饱和现象、溅射