不同纯度冶金级硅电导率随温度的变化-材料与测试网.pdfVIP

第 卷 第 期 机 械 工 程 材 料 ３７ １２ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ．１２ 　 　 　 　 　 　 年 月 ２０１３ １２ Ｄｅｃ． ２０１３ 　 Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｆｏｒ ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　 　 　 ｇ ｇ 不同纯度冶金级硅电导率随温度的变化 杨 玺，吕国强，马文会，罗 涛 （昆明理工大学冶金与能源工程学院，真空冶金国家工程实验室， 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心，昆明６５００９３） 摘 要：在不同温度下，采用自主设计的测试设备测试了不同纯度和不同厚度的冶金级硅的电 　 导率，分析了冶金级硅的纯度对电导率的影响。结果表明：采用厚度较薄的硅片进行电导率测试能 更准确反映出电导率随温度的变化关系；当温度达到６５０℃以上时，本征激发作用明显，冶金级硅 电导率开始迅速增大，并且纯度较高、金属杂质含量较少的硅电导率随温度的升高增幅较大；最后， 根据测量出的电导率进行了数值拟合，得到了冶金级硅电导率随温度变化的数学表达式。 关键词：冶金级硅；电导率；温度变化；金属杂质 中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ） ＴＧ１４６．１ Ａ １０００３７３８２０１３０１２００７１０４ 　　　 　　　 犆狅狀犱狌犮狋犻狏犻狋犆犺犪狀犲狊狑犻狋犺犜犲犿 犲狉犪狋狌狉犲犳狅狉犕犲狋犪犾犾狌狉犻犮犪犾 狔 犵 狆 犵 犌狉犪犱犲犛犻犾犻犮狅狀狅犳犇犻犳犳犲狉犲狀狋犘狌狉犻狋 狔 ， ， ， 犢犃犖犌犡犻犔犌狌狅犻犪狀 犕犃犠犲狀犺狌犻犔犝犗犜犪狅 狇 犵 （ ， ＮａｔｉｏｎａｌＥｎｉｎｅｅｒｉｎ ＬａｂｏｒａｔｏｒｆｏｒＶａｃｕｕｍＭｅｔａｌｌｕｒ ＳｉｌｉｃｏｎＭｅｔａｌｌｕｒ ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓＥｎｉｎｅｅｒｉｎ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｇ ｇ ｙ ｇｙ ｇｙ ｇ ｇ ， ， ＣｅｎｔｅｒｏｆＣｏｌｌｅｅｓａｎｄＵｎｉｖｅｒｓｉｔｉｅｓｉｎＹｕｎｎａｎＰｒｏｖｉｎｃｅＦａｃｕｌｔｏｆＭｅｔａｌｌｕｒｉｃａｌａｎｄＥｎｅｒ Ｅｎｉｎｅｅｒｉｎ ｇ ｙ ｇ ｇｙ ｇ ｇ