第九章补充太阳能电池原理.ppt

由于外界条件的改变而使半导体产生非平衡载流子的过程，称为载流子注入。载流子注入的方法有多种。用适当波长的光照射半导体使之产生非平衡载流子，叫光注入。用电学方法使半导体产生非平衡载流子，叫电注入。 半导体中非平衡少数载流子从产生到复合的平均时间间隔称为寿命。 在n型半导体中出现非平衡的电子和空穴时，电子是非平衡多子，空穴是非平衡少子。P型半导体中，空穴是非平衡多子，电子是非平衡少子。在低注入条件下，非平衡多子和少子之间是少子处于主导地位，少子寿命就是非平衡少子产生、复合又消失的时间。 载流子的复合 导带 价带 EF 1.直接复合 导带电子直接跳回价带与空穴复合叫直接复合。 2. 间接复合 电子和空穴通过复合中心复合叫作间接复合。由于半导体中晶体的不完整性和存在有害杂质，在禁带中存在一些深能级，这些能级能俘获自由电子和自由空穴，从而使它们复合，这种深能级称为复合中心。 导带 价带 EF 复合中心 通常，在自由载流子密度较低时，复合过程主要是通过复合中心进行；在自由载流子密度较高时，复合过程则主要是直接复合。 3. 表面复合 复合过程可发生在半导体内，也可发生在半导体表面。电子和空穴发生于半导体内的复合叫体内复合；电子和空穴发生于靠近半导体表面的一个非常薄的区域内的复合叫作表面复合。 导带 价带 EF 表面陷阱 单晶硅： 原子在整个晶体中排列有序 多晶硅： 原子在微米数量级排列有序 非晶硅： 短程序包含： 1、近邻原子的种类和数目； 2、近邻原子之间的距离（键长）； 3、近邻原子的几何方位（键角）； 原子在原子尺度上排列有序 单晶、多晶和非晶体原子排列 金刚石结构（与硅、锗等半导体类似） 金刚石 109o28′ 共价键 2 禁带宽度 真空中的电子得到的能量值基本是连续的，但在晶体中情况不同。 原子的壳层模型认为，原子的中心是一个带正电荷的核，核外存在着一系列不连续的、由电子运动轨道构成的壳层，电子只能在壳层里绕核转动。在稳定状态，每个壳层里运动的电子具有一定的能量状态，所以一个壳层相当于一个能量等级，称为能级。 +14 E5 E4 E3(4) E2(8) E1(2) 一个能级也表示电子的一种运动状态，所以能态、状态与能级的含义相同。图为硅原子的电子能级图。 +14 能级 能级 能级 能带 能带 能带 禁带 禁带 电子轨道对应的能带 在孤立原子中，电子只能在各允许轨道上运动。晶体中，原子之间距离很近，相邻原子的电子轨道相互重叠、互相影响。与轨道相对应的能级分裂成为能量非常接近但又大小不同的许多电子能级，称为能带。每层轨道都有一个对应的能带。 电子在每个能带中的分布，一般是先填满能量较低的能级，然后逐步填充能量较高的能级，并且每条能级只允许填充两个具有同样能量的电子。 能级 能带 电子 电子在价带上的分布 内层电子能级所对应的能带，都是被电子填满的。最外层价电子能级所对应的能带，有的被电子填满，有的未被填满，主要取决于晶体种类。硅、锗等半导体晶体的价电子能带全部被电子填满。 3 允许能态的占有几率 低温下（0K），晶体的某一能级以下的所有可能能态都被两个电子占据，该能级称为费米能级（EF）。 1 0 E T0 T=0 0.5 EF 接近于0K时，能量低于EF，f(E)基本上是1，能量高于EF，f(E)为零。 允许能态被电子占据的方式 EF EF EF (a)在金属中 (b)在绝缘体中 (c)在半导体中 4 电子和空穴 底层完全被汽车占满，而顶层完全空着，因此没任何可供汽车移动的余地。 其中一辆车从第一层移动到第二层，那么第二层的汽车就能任意自由移动。 5 电子和空穴的动力学 对于晶体导带内的电子，牛顿定律变为： 导带中能量接近最小能值的电子： 价带中能量接近最大值的空穴： O EC EV 能量 O EC EV 能量 能量动量 能量动量 直接带隙情况 间接带隙情况 6 电子和空穴的密度 1、单位体积晶体中，在导带内的电子数 2、单位体积晶体中，在价带内的空穴数 表示导带底Ec处的能态为电子占据的几率 表示价带顶Ev处的能态为空穴占据的几率 本征型 导带中只有很少的电子，价带中电子很多，只有很少空穴，费米分布函数对于能级EF是对称的。 导带和价带中的电子能态数相同，导带中的电子数和价带中的空穴数也相同，即EF 必定位于禁带中线 0.5 1 EF Ec EF Ev N型 0.5 1 EF Ec EF Ev 导带电子浓度比本征情况要大得多，而导带中能态的密度与本征情况是一样的，因此N型半导体的费米能级连同整个费米分布函数将一起在能带图上向上移动。 P型 0.5 1 EF Ec EF Ev P型半导体的