第十七章固体物理简介 激光.ppt

本章教学要求 了解固体的基本结构以及晶体的分类； 理解固体能带原理，并会解释绝缘体、导体与半导体的形成机制，了解杂质半导体与PN结的形成； 了解光与原子相互作用过程、激光器的基本结构与激光的形成原理； 理解激光的纵模与横模，了解激光的特性及其应用。 17.1 晶体结构和晶体分类 17.2 固体的能带 17.3 绝缘体 导体 半导体 17.4 杂质半导体和 pn 结 17.5 光与原子的相互作用 17.6 激光器的基本构成 激光的形成 17.7 激光的纵模和横模 17.8 激光的特性及应用 第17章 固体物理简介 激光 分子束外延系统 红、黄、蓝三种颜色的激光 差 高 高 硬度 熔点 导电性 好 无 金属键 金属晶体 低 无 范德瓦耳斯键 分子晶体 很低 有 共价键 共价晶体 弱 无 离子键 离子晶体 性能 方向性 饱和性 结合力 类型 17.1 晶体结构和晶体分类 一、晶体分类 面心立方结构 立方结构 二、晶体结构 在晶体中，原子或离子周期性重复排列，形成晶格，或称为空间点阵。 金刚石 体心立方 一维晶体点阵形成的周期性势能函数曲线 EP r + + + + + 17.2 固体的能带 一、周期性势场和电子的共有化 r 以钠为例，分析价电子在 Na+ 的电场中的势能特点 电子能量 E 低，穿过势垒概率小，共有化程度低； 电子能量 E 高，穿过势垒概率大，共有化程度高。 E + d E 电子在晶体中作共有化运动，处在三维周期性势场 中 结论： 二、能带和能带中电子的分布 离子间距 电子排列遵守 泡利不相容原理 最多容纳电子数 2×N 2×N 2×N 6×N 6×N 能量最小原理 说明 1s 2s 3s 2p 3p 内层电子共有化程度低，相应的能带较窄； 外层电子共有化程度高，相应的能带较宽。 满带 空带 导带 —— 未填满的能带及空带（一般与价带相邻） 未填满价 带 能带对导电性的影响 不参与导 电 参与导电 参与导电 填满的价 带 满带 空带 小 价带 17.3 绝缘体 导体 半导体 3~6 eV 0.1~1.5 eV 绝缘体 半导体 价带 锂 镁 铜 铝 银 导体（三种情况） 提高 空穴 三价元素(硼或镓) p 型 n 型 提高 电子 五价元素(砷或磷) 杂质 半导体 差 电子 空穴 无 本征半导体 导电性能 主要载流子 掺有杂质 类型 一、半导体类型 17.4 杂质半导体和pn结 杂质能级 1. n 型半导体 价带 10-2 eV 施主能级 二、杂质半导体 杂质能级 2. P 型半导体 价带 受主能级 10-2 eV 空穴 三、pn 结 pn 结中的电场和电势差 p区能带升高，n区能带降低，形成势垒 1. pn 结中的电场和势垒 p n eU0 p n eU0 2. pn 结中电流和外加电压的关系 pn结中电场减弱，势垒降低，电子、空穴扩散容易，形成正向宏观电流，并随电压变化。 pn结中电场增强，势垒增高，电子、空穴扩散困难，形成很小的反向电流。 10 20 30 10 20 0. 4 0. 8 20 30 半导体光电检测器 pn 结单向导电性 pn 结伏安特性曲线 U / V I / mA 正向 反向 击穿电压 自发辐射 受激吸收 自发辐射系数 受激吸收系数 E2 E1 全同 无关 光波的频率 相位偏振态 受激辐射 自发辐射 一、光的吸收与辐射 受激辐射 E2 E1 E2 E1 受激辐射系数 一般情况下 17.5 光与原子的相互作用 二、粒子数反转和光放大 忽略 增加 减小 光强变化 ?I 忽略 + kN2 IB - kN1 IB 原子数 自发辐射 受激辐射 受激吸收 粒子数 反转态 介质 热平衡 状 态 光强变化 若介质处于粒子数反转态，光在其中传播时得以放大 说明 原子的辐射、吸收对光强 I 的影响 N1、 N2分别是出于低能级E1和高能级E2的粒子数 电子 碰撞 碰撞 亚稳态 例 He-Ne激光器中Ne气粒子数反转态的实现 G —— 增益系数 增益介质 I I+dI z dz 经过介质薄层 dz , 光强增量为 I0 I0 z o 增益介质：处于粒子数反转态的介质。光传播时被放大。 说明 在增益介质内，光强 I 随传播距离按指数增加。 三、增益介质中光强随传播距离的变换关系 I 一、激光器的基本构成及激光的形成 17.6 激光器的基本构成 激光的形成 激励能源 增益介质 谐振腔 全反射镜 部分 反射镜 (99?) 谐振腔，增益介质，激励能源。 1. 基本构成部分 2. 激光的形成 光束在谐振腔内来回震荡，在增益介质中的传播