具高度差之晶圆在化学机械研磨中之研磨机制与研磨参数研究.PDFVIP

具高度差之晶圓在化學機械研磨中之研磨機制與研磨參數研究 計劃編號 ：NSC89-E-002-022 執行期間 ：八十八年八月一日至八十九年七月三十一日 主持人 ：陳達仁，國立台灣大學教授 計畫參與人員 ：李伯勳、張世昌、林宏舜 trated. 摘要 本研究計畫旨在建立化學機械研磨之晶圓研磨 1. Introduction 模型，其中將考慮晶圓表面高度差對研磨的關係； Chemical mechanical polishing (CMP) is one 並研究研磨參數的變化對於研磨特性之影響 。 of the most effective planarization technologies 文中所建立之化學機械研磨模型，將焦點放在研 for achieving smaller feature size and multilevel interconnections for the integrated circuit (IC) 磨的機械效應上。首先建立一個化學機械研磨之研 industry. CMP is used for planing interlevel di- 磨模型，考慮晶片表面高度差經由研磨而減少，進 electrics (ILDs) and metal films in general and 而提出一個與時間相關的研磨速率公式。在研磨運 can be extended to many planarization tech- 動的研究上，建立了一個開迴路操作器的模型。由 niques in device fabrication. Because of its ability 此等效模型，進而求得研磨速率的表示式；並將研 to meet the increasingly stringent lithographic 磨速率表現為化學機械研磨機之幾何外型、轉速比 requirements of device manufacture on silicon 及研磨墊轉速的函數。此外，配合實驗的資料，以 wafer, CMP is receiving increasing attention in the fabrication of ULSI/VLSI chips. 取得必要的研磨參數 ，建立完整的研磨模型。 The polishing mechanism, process control and 利用研磨模型，可以求得研磨時間、研磨厚度及 basic understanding of CMP remain essentially 平坦化效率的表示式。其中，研磨時間、研磨厚度 on the experiential level. There is a variety of 及平坦化效率，能夠顯示化學機械研磨在局部點的 physical and chem