实验二 衰减器仿真.doc

实验二 衰减器的仿真 实验目的 1、了解矢量网络分析仪的工作原理 2、掌握用矢量网络分析仪测量待测元件的回波损耗和插入损耗的原理方法。 3、了解功率衰减器的原理及其应用 4、了解无源功率衰减器的基本设计方法 5、了解PIN电子功率衰减器的原理及基本设计方法 二、功率衰减器的原理 功率衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件，元件内部含有电阻性材料。衰减器广泛用于需要功率电平调整的各种场合。 衰减器的技术指标 . 工作频带。指在给定频率范围内使用衰减器,衰减量才能达到指标值。一般结构与频率有关。 衰减量。衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。 .功率容量。衰减器是一种能量消耗元件，功率消耗后变成热量。超过这个极限值，衰减器就会被烧毁。 回波损耗。回波损耗就是衰减器的驻波比。我们希望的衰减器不能对两端电路有影响。 衰减器的基本构成 构成射频/微波功率衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是衰减器的一种基本形式,由此形成的电阻衰减网络就是集总参数衰减器(无源衰减器)。 如果是大功率衰减器,体积肯定要加大,关键就是散热设计。 随着现代电子技术的发展,在许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式,一是半导体小功率快调衰减器,如PIN管或FET单片集成衰减器；二是开关控制的电阻衰减网络,开关可以是电子开关, 也可以是射频继电器(有源衰减器或数字衰减器) 。 PIN二极管的工作原理 PIN二极管是在P型和N型材料之间插入一个本征层构成的 ①直流偏置等效电路 微波开关利用PIN管在直流正、反偏压下呈现近似导通和关断的阻抗特性，实现了控制微波信号通道转换的作用 正偏条件下的电阻记为RS，与偏置电流IF成反比，使PIN结二极管在高频下有很好的隔离度。（a）为正偏时等效电路。当PIN结反偏或者零偏时，本征层I内的电荷被耗尽，表现出高电阻(Rp)，如图（b）所示。其中CT为PIN结二极管的总电容，包括了结电容Cj和封装寄生电容Cp。 RS为PIN 管正向偏置的等效电阻(2Ω)，L 为金属接触产生的电感效应，大约为0.04 nH，CT 为PIN 管的反偏电容0.05 pF。 ②PIN二极管高频开关 ③PIN高频电子衰减器 由R和正向偏置的PIN二极管构成一个分压器。因为PIN管正向偏压时的阻抗随偏置电压的增大而减小，所以可以起自动衰减的作用。 衰减器的主要用途 1).控制功率电平: 在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制,获得最佳噪声系数和变频损耗,达到最佳接收效果。在微波接收机中,实现自动增益控制,改善动态范围。 (2).去耦元件: 作为振荡器与负载之间的去耦合元件。 (3).用于雷达抗干扰中的跳变衰减器: 是一种衰减量能突变的可变衰减器,平时不引入衰减,遇到外界干扰时,突然加大衰减。 三、集总参数衰减器类型 转化为［S］矩阵为： 衰减量：A=20lg|s21|(dB)端口匹配：20lg|s11|=-∞ 4). П型异阻式 I、设计一个5dB T型同阻式（Z1=Z2=50Ω）固定衰减器。 同阻式集总参数衰减器A=-5dB，由公式计算元件参数: ADS仿真步骤： 新建一个工程，长度单位选毫米，完成原理图，进行仿真。 II、设计一有源“T”型衰减器，具体指标： 1、工作频带：1—2GHz 2、低衰减时频带内的衰减小于1.1dB，1.4GHz处的衰减小于0.8dB 3、高衰减时频带内的衰减大于10dB，1.4GHz处的衰减大于12dB ADS仿真步骤： 1、新建一个设计（new design)，命名为PIN_Attenuator，完成如下二极管原理图。 在工具栏双击控件 ，在图中插入“VAR”控件，设置变量Rj 执行菜单命令【View】→【Creat/Edit Schematic Symbol 】,弹出对话框，单击“OK”，出现默认符号 执行菜单命令【View】→【Creat/Edit Schematic 】,返回原理图 执行菜单命令【File】→【Design Parameters】，修改后，单击“Paramrters” I→100→”Add” →“Save AEL file”→Ok”，另存原理图并命为”D”，完成模型创建 单击“齿轮”按钮，进行仿真 D1和D2的偏置 I 对调，再次进行仿真 III、用PNA网络分析仪测量衰减器 步骤如下： 实验结果 I、设计一个5dB T型同阻式（Z1=Z2=50Ω）固定衰减器。 II、设计一有源“T”型衰减器 III、用PNA网络分析仪测量衰减器 (1)测失配负载在600～2600MHz的驻波比（S11的回损，回波损耗就是衰减器的驻波比1.028 -37.180 800 1.033 -36.237 1000 1