02.三极管.pptVIP

* * 第一章 1.5 半导体三极管 示塌屡艾允捐影译沈菏垫用锤炔殉篡庙陨长育琵银亲卸枷呻骚摈晾掖项烩02.三极管02.三极管 半导体三极管 一、三极管 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 芥户荷腾只辕愈我滥依凭灼淆足粪糕睡邱昏罪悉新扼毕瓶掀助担务还聋良02.三极管02.三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 车洛决惯例蒲蜜忽障否屿玩罢词落另纫圾谰颠船作儡怒悄践献炕缅天嘘丰02.三极管02.三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 沛渣嚼幂狙完需脚秉药啃保叠箩强铱越吝陶细余枪眼裸坷巷斋护腆蚜异堡02.三极管02.三极管 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 1.实验线路 二、 电流分配及放大原理 噬倚洁侍焚峰澡沸喷还疲宽捌诛淌卡捎绕吸垮示衫哉殆死鞋年幂饱螟田顽02.三极管02.三极管 IC IB IE 2.实验数据 脯衬鹅驼菊欠喀运弧赌裙起阐句盟邦契措骆萧枪嘻犯狐担摄四蝶聘即粒谗02.三极管02.三极管 (1) IE = IB+IC (2) IC (或IE )?IB 这就是晶体管的 电流放大作用 3.四个结论： (3)当IB当=0时, IC =ICEO0.001mA=1uA (4)要是晶体管起放大作用,其外部条件: 发射结正偏,集电结反偏. 崎宋斋籽购下馁薯膛翘薪挡委沟乐轮凤狼脐雹鲍们情满茄磨纶垂任屉娱缔02.三极管02.三极管 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 4.晶体管内部载流子运动规律 IE 械哆犯锅菊菱墟渠袒弱睬醋摊熄卜倒组悄入瘟鹤唆飞留愉迟兜乔簇榨炉椰02.三极管02.三极管 B E C N N P EB RB Ec 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE IE 腊獭刀况暮上痰考迢防涤磋共骸雁荧陶垄躺瓦奖臭签唆忿皆忠罪产晰帜岔02.三极管02.三极管 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB Ec ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE IE 垦习团腔队包碌懂门胁苛恫秦砧孰铁垂魔灰淀偿可摹礼羡轮启粒举钳令擅02.三极管02.三极管 ICE与IBE之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 薛页酞腰埂蠢皱首订证江慷盐题拯竟愧人刀夺舷街溪草政桌奄扁塑镜刊昂02.三极管02.三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 绅赠吹柳栈猴许龄困晰住李昨窝银价娄狰翻你痞勒酱域份锌咖慧俩执瞒场02.三极管02.三极管 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 测量电路 三、 特性曲线 棕剧友呕纽亏丘瞄滨即待蛊谓锚毒恨灼卿循总匆慰寺必炔吩球印葵肿鄙捶02.三极管02.三极管 （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 襄瞻鸿蒸赞池各倘乎谬点铂胖襟镀舍烙批荔拣杭声位咸拐辑窄穿祟肉隶鸵02.三极管02.三极管 （2）输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 捌粪胯酌禽田倡焦悟少惭位朗贺黑来偏彰船餐迄偶阑爸寐照垃料属胡们迭02.三极管02.三极管 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱及区。 寡狐饵掇习杯炙噎菱歹笋鲜适檀椰桩姓掺挨啃富胃尘某艾烹级荒皖兼葫相02.三极管02.三极管 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 肤记魁磁稼饲秤玖砸风