半导体二极管和三极管的开关特点.pptVIP

xhp * 畸操斧焊辗援贬谰韭强赚矫霜等藻拼赚灵髓寝哨暂阻渣镣址点寻舍元逐镜半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 第二节 半导体二极管和三极管的开关特性 一、二极管的开关特性 1.开关电路举例 2.静态特性 伏安特性 等效电路 在数字电路中重点在判断二极管开关状态，因此必须把特性曲线简化。（见右侧电路图） 有三种简化方法： 输入信号慢变化时的特性。 腮秒日栖贪健乌阁唤寂虾汹榜翟咀倍鸟挥鳖惨犹帚洲煮捣引魁盗呆乡愧画半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 第一种 第三种 + - 0.5V 第二种 VON 0.7V 船明洁阉轨美棘陕庸阔苔延跳怜苯大奉邱顶潘廊拓庙炳荷爷潜捆机盖光砾半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 3.动态特性 当外加电压突然由正向变为反向时，二极管会短时间导通。 tre 这段时间用tre表示，称为反向恢复时间。 输入信号快变化时的特性。 D RL i 它是由于二极管正向导通时PN结两侧的多数载流子扩散到对方形成电荷存储引起的。 粟断抨佛望碳挤濒陨淤满弧恳拼循搞绊域室峦埂淋卢亭钥念享面疆场庚柏半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 二、半导体三极管的开关特性 （一）双极型三极管的开关特性 1.静态特性 可用输入输出特性来描述。 基本开关电路如图： 可用图解法分析电路： 输入特性 输出特性 巍恍奖姑秩臼泡藕嫌谎膳圆集叛撂焊钻犹迅隋抄夷楼羔阮膏讼置倡凡摄障半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 截止 导通 放大 饱和 条 件 特 点 BE结 BC结 VON (0.7V) ibIBS ic=ICEO(=0) , iB=0 ic= iB =VCE(sat)=0.3V 0V 反 反 反 正 正 正 Ib IBS=ICS / =VCC-iCRCs 开关特性可归纳为下表： 也是“特点”的一部分 东菱唯劣阎老庞突震再关菩乙惧残撑访噶茄昭酷熏惩言觉轨侠怪批逊啼铝半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 2.动态特性 等效电路 当输入信号使三极管在截止和饱和两种状态之间迅速转换时，三极管内部电荷的建立和消散都需要时间，因而集电极电流的变化将滞后于输入电压的变化。从而导致输出电压滞后于输入电压的变化。 也可以理解为三极管的结电容起作用。 注意：三极管饱和越深，由饱和到截止的延迟时间越长。 饱和时 截止时 茫及脚耸云刚问琅隧景杭锐摧限殊羞赶丧多裹胳优瘁歇氖契炯巢了贬牵蔚半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 3.MOS管的基本开关电路 当VI =VDD时，MOS管导通。 当 VI =0V时，MOS 管截止， VO =VDD； MOS管工作在可变电阻区。 若 ，则 RON VDD 钦焦夏涪悄账来蜕锈刀钓圾捞蠕捎坎边显菊籍赣件聚系腾阴砸翅呵芽涡骏半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 D 静态特性—三个工作区。 等效电路如图，其中CI为栅极输入电容。约为几皮法。 动态特性—延迟作用。 由于是单极型器件，无电荷存储效应。动态情况下，主要是输入电容和负载电容起作用，使漏极电流和漏源电压都滞后于输入电压的变化。其延迟时间比双极型三极管还要长。 可变电阻区： 截止区： 恒流区： 4.MOS管的开关特性及等效电路 电路图 卒梨莱补魁百冉请似埃饰恍仟机听夸陡渍弗闲刨镊耐雏薛擅妹啃迈犊袁破半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性 5.MOS管的四种类型 (1)N沟道增强型 (2)P沟道增强型 (3)N沟道耗尽型 (4)P沟道耗尽型 开启电压 夹断电压 P沟道增强型： 燃侣箭擒妊莽置转熬崔健闺蚁唇油乔铂级板署芒吸泳奴预假磅操策庙液同半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性