降低矽晶片反射率之研究.PDFVIP

降低矽晶片反射率之研究 指導教授：林清彬 教授 專題生：尹瑞蓮、李芷瑩 前言： 矽晶片藉由化學藥液配方產生蝕刻，以達到降低表面反射率之成效及改善太陽能電池 轉換效率。觀察樣本試片後，調配藥液比例後進行實驗。 實驗步驟： 本實驗使用六吋單晶矽太陽能矽晶片作為實驗試片，將試片浸泡在溶液之中使矽晶片的表 面結構改變，侵蝕其表面以致於產生許多微小金字塔狀，達到降低反射率的效果，進而增加矽 晶片利用光能之效率。 首先調配浸泡液，主要成分有D劑、B劑、KOH和去離子水，利用重量百分濃度計算，多 次實驗決定各成分之間比例。首先固定D劑為5%、B劑為0.05%，改變KOH的大小，其餘為去 離子水，多次反覆實驗，並觀察其反射率和微結構。浸泡時間先固定為85℃、20分鐘，浸泡 完成之後立刻將矽晶片取出，浸泡在去離子水中，清潔殘留的浸泡液。最後用吹風機立刻風乾， 以防留下水漬。試片作成之後再使用UV光譜儀和SEM電子掃描顯微鏡觀察其反射率及微結構。