温度测量范围加倍的单微环传感器.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 15 (2014) 154209 温度测量范围加倍的单微环传感器 李欣 王禄娜 郭士亮 李志全 杨明 1)(哈尔滨工业大学控制与仿真中心, 哈尔滨 150080) 2)(燕山大学电气工程学院, 秦皇岛 066004) ( 2014 年2 月12 日收到; 2014 年3 月4 日收到修改稿) 本文提出了一种基于U 形波导耦合单微环结构的新型SOI(绝缘体上硅) 温度传感器. 温度变化引起感温 部位有效折射率和长度变化, 导致传感器的输出光谱发生漂移. 根据传输矩阵法和耦合模理论, 设计了新型 传感器模型, 并且分析了感温部位不同时系统输出光谱特性. 结果表明: 当U 形波导耦合单微环整体结构感 温时, 输出光谱无伪模, 消光比达到31 dB, 可作为最佳感温元件. 相比于传统的双直波导耦合单微环结构, 当 U 形波导的两个耦合点间的距离为微环周长的整数倍数时, FSR( 自由光谱范围) 可加倍至56 nm, 灵敏度提高 到89.2 pm/ C, 测量范围为298—720 K, 实现了SOI 微环谐振器的高温测量. 关键词: 微环谐振器, 温度传感器, 测量范围 PACS: 42.60.Da, 42.81.Pa, 42.82.Et DOI: 10.7498/aps.63.154209 从而使得微环透射谱发生变化, 可以通过监测谐振 1 引 言 波长漂移的方法实现对被测物理量的测量. 半径 为4 m 的SOI 单微环谐振器已经应用到温度传感 温度在日常生活, 工农业生产以及工程应用等 中, 其FSR 为24.6 nm, 在5—200 C 测量范围内其 诸多方面都有着重要意义, 并且飞行器, 汽车, 油田 10 灵敏度达到85 pm/ C . 目前, 微环生化传感结 等应用领域对高温测试的要求不断增加. 传统以硅 合温度传感或温度补偿的研究已经成为国内外研 为基底的温度传感器在高温时受本征激发温度的 究热点1112 . 然而这些研究中可测量的温度范围 限制, 通常只能达到200 C 左右. 而SOI 12 具有 较小, 无法实现高温测量. U 形波导耦合的单微环 低功耗、抗电磁干扰、耐高温等优点, 可以满足高温 的新型结构由于具有高Q 值、高消光比等良好滤波 应用的要求34 , 已有报道表明SOI 基温度传感器 特性被提出来13 , 该结构在传感中的应用还较少. 最高测量温度可达到700 C 以上, 这些研究中传 本文基于耦合模理论和传输矩阵法14 , 把U 形波 感器制作复杂或者体积较大. 因此, 结构简单的微 导耦合单微环的结构应用到温度传感中, 对比了该 纳SOI 基温度传感器的研究成为新热点. 结构各个部分的感温特性, 得到了最佳温度敏感元 近十年随着微加工工艺技术的提高, 基于SOI 件. 该结构和传统的单微环结构相比, 能够很好的 材料的微环谐振器的研究引起人们广泛关注, 并且 增大FSR, 避免减小微环半径引起的弯曲损耗, 提 已经在滤波、传感、调制、光开关等领域有着重要应 高测量范围, 进而实现高温测量, 为制备高灵敏度、